DULLES, VA, פברואר 12, 2020 — הדור הבא של GeneSiC Semiconductor 1200V G3R ™ SiC MOSFETs עם RDS(עַל) רמות הנעים בין 20 mΩ ל 350 mΩ מספקים רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים יעילות גבוהה יותר, תדר מיתוג מהיר יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מופחת (EMI) וגודל מערכת קומפקטי.
GeneSiC מודיעה על זמינות MOSFETs המובילים בענף הסיליקון קרביד הדור השלישי המובילים בתעשייה, הכוללים ביצועים מובילים בתעשייה, עמידות ואיכות לרתום רמות יעילות ואמינות של המערכת ביישומי רכב ותעשייה.
אלה G3R ™ SiC MOSFETs, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפח גבוה, המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.
"לאחר שנים של עבודות פיתוח לקראת השגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי משופרים, אנו שמחים לשחרר את מיטב ה- SiC MOSFET של 1200 וולט עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה 15+ מוצרי שבב בדידים וחשופים. אם מערכות האלקטרוניקה החשמליות מהדור הבא יעמדו ביעילות המאתגרת, צפיפות הספק ויעדי איכות ביישומים כמו רכב, תַעֲשִׂיָתִי, אנרגיה מתחדשת, הוֹבָלָה, IT וטלקום, אז הם דורשים שיפור משמעותי בביצועי המכשיר ובאמינותם בהשוואה ל- SiC MOSFET הקיימים כיום” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.
תכונות –
- ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון – G3R ™ SiC MOSFETs כוללים את ההתנגדות הנמוכה ביותר בתעשייה עם טעינת שער נמוכה מאוד, וכתוצאה מכך ל 20% נתון שווי טוב יותר מכל מכשיר מתחרה דומה אחר
- הפסדי הולכה נמוכים בכל הטמפרטורות – MOSFETs של GeneSiC כוללים תלות בטמפרטורה הרכה ביותר של התנגדות במצב כדי להציע הפסדי הולכה נמוכים מאוד בכל הטמפרטורות.; טוב יותר באופן משמעותי מכל תעלות אחרות מסוג SiC MOSFET משטחיות
- 100 % מפולת שלגים נבדקה – יכולת UIL חזקה היא דרישה קריטית עבור רוב היישומים בשטח. 1200V SiC MOSFET דיסקרטי של GeneSiC הם 100 % מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
- טעינת שער נמוכה והתנגדות שער פנימית נמוכה – פרמטרים אלה הם קריטיים לקראת מימוש מיתוג מהיר במיוחד והשגת יעילות גבוהה ביותר (Eon נמוך - Off) במגוון רחב של תדרי החלפת יישומים
- הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס – כל ה- MOSFET של SiC של GeneSiC מתוכננים ומייצרים בתהליכים חדישים כדי לספק מוצרים יציבים ואמינים בכל תנאי ההפעלה ללא כל סיכון לתקלה.. איכות תחמוצת השער המעולה של מכשירים אלה מונעת כל סף (וTH) סְחִיפָה
- קיבולי מכשיר נמוכים – G3R ™ נועדו לנהוג מהר יותר ויעיל יותר עם קיבולי המכשיר הנמוכים שלהם - Ciss, קוז וקרס
- דיודת גוף מהירה ואמינה עם מטען פנימי נמוך – MOSFETs של GeneSiC כוללים חיוב נמוך לשחזור הפוך (שRR) בכל הטמפרטורות; 30% טוב יותר מכל מכשיר מתחרה בעל דירוג דומה. זה מציע ירידה נוספת בהפסדי החשמל ומגביר את תדרי ההפעלה
- קלות שימוש – G3R ™ SiC MOSFET מיועדים להניע ב + 15 וולט / -5כונן שער V. זה מציע תאימות רחבה ביותר עם מנהלי שער IGBT ו- SiC MOSFET מסחריים קיימים
יישומים –
- רכב חשמלי – רכבת כוח וטעינה
- מהפך סולארי ואחסון אנרגיה
- כונן מנוע תעשייתי
- ספק כוח ללא הפרעה (יו פי אס)
- ספק כוח במצב מתג (SMPS)
- ממירי DC-DC דו כיווניים
- רשת חכמה ו- HVDC
- אינדוקציה חימום וריתוך
- יישום כוח מפועם
כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support
עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com
כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP. כל המכשירים מוצעים בתקן התעשייתי D2PAK, חבילות TO-247 ו- SOT-227.
על GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.
