פורסם ב

G3R ™ 750V SiC MOSFETs מציעים ביצועים ואמינות שאין שני להם

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, יוני 04, 2021 — הדור הבא של GeneSiC 750 V G3R ™ MOSFETs SiC יספקו רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים ירידה נמוכה במצב במצב בטמפרטורות הפעלה, מהירויות מעבר מהירות יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מינימלי (EMI נמוך) וגודל מערכת קומפקטי. G3R™ של GeneSiC, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים לפעול עם הפסדי הספק הנמוכים ביותר בכל תנאי ההפעלה ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר באופן משמעותי בהשוואה למכשירי SiC MOSFET עכשוויים.

750V G3R SiC MOSFET

"שימוש באנרגיה ביעילות גבוהה הפך למוצר קריטי בממירי כוח מהדור הבא והתקני כוח SiC ממשיכים להיות המרכיבים העיקריים המניעים את המהפכה הזו. לאחר שנים של עבודת פיתוח להשגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי ומפולות חזקים, אנו נרגשים לשחרר את ה-MOSFETs 750V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה. G3R™ שלנו מאפשר למעצבי אלקטרוניקה כח לעמוד ביעילות המאתגרת, יעדי צפיפות הספק ואיכות ביישומים כמו ממירים סולאריים, מטענים מובנים ל-EV וספקי כוח לשרת/טלקום. איכות מובטחת, הנתמכת על ידי הסבה מהירה וייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה משפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם. ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • טעינת השער הנמוכה ביותר בתעשייה (שז) והתנגדות שער פנימי (RG(INT))
  • R הנמוך ביותרDS(עַל) להשתנות עם הטמפרטורה
  • קיבול פלט נמוך (גלָנוּ) וקיבול מיילר (גGD)
  • 100% מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • יכולת עמידה בקצר חשמלי מובילה בתעשייה
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם V נמוךו ו-Q נמוךRR
  • מתח סף שער גבוה ויציב (וTH) על פני כל תנאי הטמפרטורה והטיית הניקוז
  • טכנולוגיית אריזה מתקדמת לעמידות תרמית נמוכה יותר וצלצול נמוך יותר
  • אחידות ייצור של RDS(עַל), וTH ומתח התפרקות (BV)
  • סל מוצרים מקיף ושרשרת אספקה ​​בטוחה יותר עם ייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה

יישומים –

  • סוֹלָרִי (PV) ממירים
  • EV / מטענים משולבים של HEV
  • שרת & ספקי כוח טלקום
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • ממירי DC-DC
  • ספקי כוח במצב מיתוג (SMPS)
  • אחסון אנרגיה וטעינת סוללה
  • חימום אינדוקציה

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

הדור השלישי החדש של SiC MOSFETs של GeneSiC המציע את מיטב העניינים הטובים ביותר בתעשייה

DULLES, VA, פברואר 12, 2020 — הדור הבא של GeneSiC Semiconductor 1200V G3R ™ SiC MOSFETs עם RDS(עַל) רמות הנעים בין 20 mΩ ל 350 mΩ מספקים רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים יעילות גבוהה יותר, תדר מיתוג מהיר יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מופחת (EMI) וגודל מערכת קומפקטי.

GeneSiC מודיעה על זמינות MOSFETs המובילים בענף הסיליקון קרביד הדור השלישי המובילים בתעשייה, הכוללים ביצועים מובילים בתעשייה, עמידות ואיכות לרתום רמות יעילות ואמינות של המערכת ביישומי רכב ותעשייה.

אלה G3R ™ SiC MOSFETs, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפח גבוה, המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.

"לאחר שנים של עבודות פיתוח לקראת השגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי משופרים, אנו שמחים לשחרר את מיטב ה- SiC MOSFET של 1200 וולט עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה 15+ מוצרי שבב בדידים וחשופים. אם מערכות האלקטרוניקה החשמליות מהדור הבא יעמדו ביעילות המאתגרת, צפיפות הספק ויעדי איכות ביישומים כמו רכב, תַעֲשִׂיָתִי, אנרגיה מתחדשת, הוֹבָלָה, IT וטלקום, אז הם דורשים שיפור משמעותי בביצועי המכשיר ובאמינותם בהשוואה ל- SiC MOSFET הקיימים כיום” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון – G3R ™ SiC MOSFETs כוללים את ההתנגדות הנמוכה ביותר בתעשייה עם טעינת שער נמוכה מאוד, וכתוצאה מכך ל 20% נתון שווי טוב יותר מכל מכשיר מתחרה דומה אחר
  • הפסדי הולכה נמוכים בכל הטמפרטורות – MOSFETs של GeneSiC כוללים תלות בטמפרטורה הרכה ביותר של התנגדות במצב כדי להציע הפסדי הולכה נמוכים מאוד בכל הטמפרטורות.; טוב יותר באופן משמעותי מכל תעלות אחרות מסוג SiC MOSFET משטחיות
  • 100 % מפולת שלגים נבדקה – יכולת UIL חזקה היא דרישה קריטית עבור רוב היישומים בשטח. 1200V SiC MOSFET דיסקרטי של GeneSiC הם 100 % מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • טעינת שער נמוכה והתנגדות שער פנימית נמוכה – פרמטרים אלה הם קריטיים לקראת מימוש מיתוג מהיר במיוחד והשגת יעילות גבוהה ביותר (Eon נמוך - Off) במגוון רחב של תדרי החלפת יישומים
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס – כל ה- MOSFET של SiC של GeneSiC מתוכננים ומייצרים בתהליכים חדישים כדי לספק מוצרים יציבים ואמינים בכל תנאי ההפעלה ללא כל סיכון לתקלה.. איכות תחמוצת השער המעולה של מכשירים אלה מונעת כל סף (וTH) סְחִיפָה
  • קיבולי מכשיר נמוכים – G3R ™ נועדו לנהוג מהר יותר ויעיל יותר עם קיבולי המכשיר הנמוכים שלהם - Ciss, קוז וקרס
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם מטען פנימי נמוך – MOSFETs של GeneSiC כוללים חיוב נמוך לשחזור הפוך (שRR) בכל הטמפרטורות; 30% טוב יותר מכל מכשיר מתחרה בעל דירוג דומה. זה מציע ירידה נוספת בהפסדי החשמל ומגביר את תדרי ההפעלה
  • קלות שימוש – G3R ™ SiC MOSFET מיועדים להניע ב + 15 וולט / -5כונן שער V. זה מציע תאימות רחבה ביותר עם מנהלי שער IGBT ו- SiC MOSFET מסחריים קיימים

יישומים –

  • רכב חשמלי – רכבת כוח וטעינה
  • מהפך סולארי ואחסון אנרגיה
  • כונן מנוע תעשייתי
  • ספק כוח ללא הפרעה (יו פי אס)
  • ספק כוח במצב מתג (SMPS)
  • ממירי DC-DC דו כיווניים
  • רשת חכמה ו- HVDC
  • אינדוקציה חימום וריתוך
  • יישום כוח מפועם

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP. כל המכשירים מוצעים בתקן התעשייתי D2PAK, חבילות TO-247 ו- SOT-227.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

MOSFET SiC 3300V ו- 1700V 1000mΩ SiC של GeneSiC מחוללים מהפכה במיניאטור של ספקי כוח עזר

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 4, 2020 — GeneSiC מודיעה על זמינות של מובילי תעשייה 3300V ו- 1700V SiC MOSFET מובילים בתעשייה המותאמים להשגת מזעור ללא תחרות, אמינות וחיסכון באנרגיה בכוח משק הבית התעשייתי.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של תיק מקיף של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מודיעה על זמינות מיידית של הדור הבא 3300V ו- 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, ו- G2R1000MT33J. אלה SiC MOSFETs מאפשרים רמות ביצועים מעולות, מבוסס על נתוני הדגל של הכשרון (FoM) המשפרים ומפשטים מערכות חשמל באחסון אנרגיה, אנרגיה מתחדשת, מנועים תעשייתיים, ממירים לשימוש כללי ותאורה תעשייתית. המוצרים שפורסמו הם:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

MOSFET SiC 3300V ו- 1700V החדשים של GeneSiC, זמין באפשרויות 1000mΩ ו- 450mΩ כחבילות נפרדות מסוג SMD ו- Through-Hole, מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפחים גבוהים המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.

"ביישומים כמו ממירי שמש 1500 וולט, ה- MOSFET באספקת חשמל עזר עשוי להידרש לעמוד במתח בטווח של 2500 וולט, תלוי במתח הכניסה, יחס סיבובים של השנאי ומתח המוצא. מתח MOSFET של מתח תקלה גבוה מייתר את הצורך במתגים המחוברים בסדרה ב- Flyback, ממריצים Boost ו- Forward ובכך מקטינים את ספירת החלקים ומפחיתים את מורכבות המעגל. 3300V ו- 1700V SiC MOSFET בדידים של GeneSiC מאפשרים למעצבים להשתמש בטופולוגיה פשוטה יותר המבוססת על מתגים בודדים ובמקביל לספק ללקוחות אמינים, מערכת קומפקטית וחסכונית” אמרה סומית ג'אדב, מנהל יישומים בכיר ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • מדד ביצועי מחיר מעולה
  • ספינת הדגל שז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • קיבול פנימי נמוך וטעינה נמוכה של השער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • מפולת גבוהה ומחוספס קצר חשמלי
  • מתח סף אמת מידה להפעלה יציבה במצב רגיל עד 175 מעלות צלזיוס

יישומים –

  • אנרגיה מתחדשת (ממירי שמש) ואחסון אנרגיה
  • מנועים תעשייתיים (וקשר)
  • ממירים לשימוש כללי
  • תאורה תעשייתית
  • נהגי פיזו
  • גנרטורים לקורות יון

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים

6.5KV SiC MOSFETs

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני כגון מתיחה, פועמת חשמל ותשתית רשת חכמה.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מכריזה על זמינות מיידית של שבבים חשופים מסוג SiC MOSFET של 6.5kV - G2R300MT65-CAL ו- G2R325MS65-CAL. בקרוב ישוחררו מודולי SiC מלאים המשתמשים בטכנולוגיה זו. יישומים צפויים לכלול מתיחה, כוח פועם, תשתית רשת חכמה וממירי כוח מתח בינוני אחרים.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (עם משולב-שוטקי) צ'יפ חשוף

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

החידוש של GeneSiC כולל מוליך למחצה של תחמוצת מתכת שתולה כפול (DMOSFET) מבנה מכשיר עם מחסום צומת שוטקי (JBS) מיישר המשולב בתא היחידה SiC DMOSFET. ניתן להשתמש במכשיר כוח מוביל זה במגוון מעגלי המרת הספק בדור הבא של מערכות המרת הספק. יתרונות משמעותיים אחרים כוללים ביצועים דו-כיווניים יעילים יותר, מיתוג בלתי תלוי בטמפרטורה, הפסדי מיתוג והולכה נמוכים, דרישות קירור מופחתות, אמינות מעולה לטווח הארוך, קלות מכשירים מקבילים ויתרונות עלות. הטכנולוגיה של GeneSiC מציעה ביצועים מעולים ויש בה גם פוטנציאל להפחית את טביעת הרגל החומרית של SiC בממירי הספק.

“6.5KV SiC MOSFETs של GeneSiC מתוכננים ומייצרים על רקמות בגודל 6 אינץ 'כדי לממש עמידות נמוכה במצב., האיכות הטובה ביותר, ומדד ביצועי מחיר מעולה. טכנולוגיית MOSFETs מהדור הבא מבטיחה ביצועים למופת, חסינות מעולה ואמינות ארוכת טווח ביישומי המרת מתח בינוני.” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, סמנכ"ל טכנולוגיה ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות הטכנולוגיה G2R ™ SiC MOSFET של 6.5kV של GeneSiC –

  • מפולת גבוהה (UIS) וחוסן קצר חשמלי
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • הפסדי מיתוג עצמאיים
  • קיבולים נמוכים וטעינה נמוכה של שער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • +20 ו / -5 כונן שער V

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למתג מיישר טרנזיסטור-מיישר מבוסס SiC

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 5, 2019 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס על פיתוח מתג טרנזיסטור-מיישר מונוליטי מבוסס SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי במכשירי הכוח מבוססי סיליקון קרביד זכה לכבוד בהכרזה שהוא זכה בתואר היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2018. ר&מגזין D זיהה את טכנולוגיית הספק SiC במתח בינוני של GeneSiC על יכולתה לשלב באופן מונוליטי את MOSFET ומיישר Schottky על שבב אחד. יכולות אלו שהושגו על ידי המכשיר של GeneSiC מאפשרות באופן קריטי לחוקרי אלקטרוניקת כוח לפתח מערכות אלקטרוניות כוח מהדור הבא כמו ממירים וממירי DC-DC. זה יאפשר פיתוח מוצרים בתוך כלי רכב חשמליים, תשתית טעינה, תעשיות אנרגיה מתחדשת ואגירת אנרגיה. GeneSiC הזמינה הזמנות ממספר לקוחות לקראת הדגמה של חומרת אלקטרוניקה מתקדמת באמצעות מכשירים אלה וממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד MOSFET שלה.. ה- R.&D על גרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות מחלקת ארה"ב. של אנרגיה ושיתוף פעולה עם המעבדות הלאומיות של Sandia.

תחרות הטכנולוגיה השנתית המנוהלת על ידי ר&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.