התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים

6.5KV SiC MOSFETs

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני כגון מתיחה, פועמת חשמל ותשתית רשת חכמה.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מכריזה על זמינות מיידית של שבבים חשופים מסוג SiC MOSFET של 6.5kV - G2R300MT65-CAL ו- G2R325MS65-CAL. בקרוב ישוחררו מודולי SiC מלאים המשתמשים בטכנולוגיה זו. יישומים צפויים לכלול מתיחה, כוח פועם, תשתית רשת חכמה וממירי כוח מתח בינוני אחרים.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (עם משולב-שוטקי) צ'יפ חשוף

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

החידוש של GeneSiC כולל מוליך למחצה של תחמוצת מתכת שתולה כפול (DMOSFET) מבנה מכשיר עם מחסום צומת שוטקי (JBS) מיישר המשולב בתא היחידה SiC DMOSFET. ניתן להשתמש במכשיר כוח מוביל זה במגוון מעגלי המרת הספק בדור הבא של מערכות המרת הספק. יתרונות משמעותיים אחרים כוללים ביצועים דו-כיווניים יעילים יותר, מיתוג בלתי תלוי בטמפרטורה, הפסדי מיתוג והולכה נמוכים, דרישות קירור מופחתות, אמינות מעולה לטווח הארוך, קלות מכשירים מקבילים ויתרונות עלות. הטכנולוגיה של GeneSiC מציעה ביצועים מעולים ויש בה גם פוטנציאל להפחית את טביעת הרגל החומרית של SiC בממירי הספק.

“6.5KV SiC MOSFETs של GeneSiC מתוכננים ומייצרים על רקמות בגודל 6 אינץ 'כדי לממש עמידות נמוכה במצב., האיכות הטובה ביותר, ומדד ביצועי מחיר מעולה. טכנולוגיית MOSFETs מהדור הבא מבטיחה ביצועים למופת, חסינות מעולה ואמינות ארוכת טווח ביישומי המרת מתח בינוני.” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, סמנכ"ל טכנולוגיה ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות הטכנולוגיה G2R ™ SiC MOSFET של 6.5kV של GeneSiC –

  • מפולת גבוהה (UIS) וחוסן קצר חשמלי
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • הפסדי מיתוג עצמאיים
  • קיבולים נמוכים וטעינה נמוכה של שער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • +20 ו / -5 כונן שער V

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למתג מיישר טרנזיסטור-מיישר מבוסס SiC

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 5, 2019 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס על פיתוח מתג טרנזיסטור-מיישר מונוליטי מבוסס SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי במכשירי הכוח מבוססי סיליקון קרביד זכה לכבוד בהכרזה שהוא זכה בתואר היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2018. ר&מגזין D זיהה את טכנולוגיית הספק SiC במתח בינוני של GeneSiC על יכולתה לשלב באופן מונוליטי את MOSFET ומיישר Schottky על שבב אחד. יכולות אלו שהושגו על ידי המכשיר של GeneSiC מאפשרות באופן קריטי לחוקרי אלקטרוניקת כוח לפתח מערכות אלקטרוניות כוח מהדור הבא כמו ממירים וממירי DC-DC. זה יאפשר פיתוח מוצרים בתוך כלי רכב חשמליים, תשתית טעינה, תעשיות אנרגיה מתחדשת ואגירת אנרגיה. GeneSiC הזמינה הזמנות ממספר לקוחות לקראת הדגמה של חומרת אלקטרוניקה מתקדמת באמצעות מכשירים אלה וממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד MOSFET שלה.. ה- R.&D על גרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות מחלקת ארה"ב. של אנרגיה ושיתוף פעולה עם המעבדות הלאומיות של Sandia.

תחרות הטכנולוגיה השנתית המנוהלת על ידי ר&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.