GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למכשירי SiC ביישומי אנרגיית סולארית ורוח המחוברים לרשת

DULLES, VA, יולי 14, 2011 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס על מסחור של מכשירי סיליקון קרביד עם דירוג מתח גבוה.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מרכזית במכשירי החשמל המבוססים על סיליקון קרביד זכתה לכבוד בשבוע שעבר בהודעה כי זכתה בפרס היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2010. ר&מגזין D זיהה את Thyristor SiC Thyristor של GeneSiC במיוחד בזכות יכולתו להשיג מתח וחסימות חסימות שמעולם לא נוצלו לקראת הפגנות אלקטרוניקה כוחית.. דירוגי המתח של >6.5kV, דירוג הנוכחי במדינה של 80 A ותדרי הפעלה של >5 kHz גבוהים בהרבה מאלה שהוצגו בעבר בשוק. יכולות אלה שהושגו על ידי Thyristors של GeneSiC מאפשרות באופן ביקורתי לחוקרי אלקטרוניקה כוח לפתח ממירים קשורים לרשת., גָמִישׁ

מערכות הילוכים AC (עובדות) ומערכות מתח גבוה DC (HVDC). זה יאפשר המצאות חדשות ופיתוח מוצרים בתחום האנרגיה המתחדשת, ממירי שמש, ממירי כוח רוח, ותעשיות אחסון אנרגיה. ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor אמר: "צפוי כי שווקים בהיקפים נרחבים בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת הספק החשמל יבינו במלואם את היתרונות של Thyristors SiC.. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. אנו מתכוונים לשחרר את הדורות הבאים של Thyristors SiC המותאמים ליכולת כיבוי בשליטה על שער ויכולת הספק מואצת >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת 150oC. " מאז הושק מוצר זה באוקטובר 2010, GeneSiC הזמינה הזמנות מלקוחות מרובים לקראת הדגמת חומרה מתקדמת של מוצרי אלקטרוניקה באמצעות תיריסטורים סיליקון קרביד אלה.. GeneSiC ממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד Thyristor. ה- R.&D בגרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות תמיכה במימון SBIR ממחלקת ארה"ב. של אנרגיה. מתקדם יותר, Pulser Power מותאם SiC Thyristors מפותחים תחת חוזה SBIR אחר עם ARDEC, צבא ארה"ב. שימוש בהתפתחויות טכניות אלה, השקעה פנימית של GeneSiC והזמנות מסחריות של מספר לקוחות, GeneSiC הצליחה להציע Thyristors UHV אלה כמוצרים מסחריים.

תחרות הטכנולוגיה השנתית ה -49 שמפעילה R&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.