GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור

DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) התקשרה בהסכם שיתופי פעולה עם הצוות המוביל על ידי מוליכים למחצה GeneSiC לקראת פיתוח קרביד הסיליקון החדש בעל מתח גבוה. (SiC) מכשירים מבוססי תיריסטור. מכשירים אלה צפויים להיות מאפשרים עיקריים לשילוב תחנות כוח רוח ושמש בקנה מידה גדול בדור הבא של רשת החכמה..

"הפרס התחרותי ביותר הזה ל- GeneSiC יאפשר לנו להרחיב את עמדת המנהיגות הטכנית שלנו בטכנולוגיית סיליקון קרביד מרובה kV., כמו גם המחויבות שלנו לפתרונות אנרגיה חלופיים בקנה מידה רשת עם פתרונות מצב מוצק,"הגיב ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "תיריסטורי SiC מרובי kV שאנו מפתחים הם הטכנולוגיה המאפשרת מפתח למימוש מערכות העברת AC גמישות (עובדות) אלמנטים ו DC מתח גבוה (HVDC) אדריכלות המתוכננת לקראת אינטגרציה, יָעִיל, רשת חכמה של העתיד. התיריסטורים מבוססי SiC של GeneSiC מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בפתרונות עיבוד כוח FACTS ו- HVDC בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. "

באפריל 2010, GeneSiC הגיבה למסירה זריזה של טכנולוגיית חשמל (מְיוּמָן) שידול מ- ARPA-E שביקש להשקיע בחומרים להתקדמות בסיסית במתגי מתח גבוה שיש בו פוטנציאל לזנק מביצועי ממיר ההספק הקיים תוך הצעת עלויות. הצעת החברה שכותרתה "תיריסטור מחליף אנודה ממוצרי סיליקון לקרביד להמרת מתח בינוני" נבחרה לספק קל משקל, מצב מוצק, המרת אנרגיה במתח בינוני ליישומי הספק גבוה כגון תחנות חשמל מוצקות וגנרטורי טורבינות רוח. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל. החידושים שנבחרו היו לתמוך ולקדם את ארה"ב. עסקים באמצעות מנהיגות טכנולוגית, באמצעות תהליך תחרותי ביותר.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא בעל תכונות עדיפות להפליא מסיליקון קונבנציונאלי, כגון היכולת להתמודד עם פי עשרה מהמתח - וכפי מאה מהזרם - בטמפרטורות הגבוהות עד 300 מעלות צלזיוס. מאפיינים אלה הופכים אותו למתאים באופן אידיאלי ליישומים בעלי הספק גבוה כמו רכבים היברידיים וחשמליים, אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) התקנות, ומערכות בקרת רשת חשמל.

זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, פנסי VAR סטטי ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. יישומים ויתרונות מבטיחים אחרים למכשירים אלה כוללים:

  • מערכות ניהול צריכת חשמל ומיזוג הסבה להמרת מתח מתח בינוני מבוקשת תחת יכולת ימי עתידית (FNC) של הצי האמריקני, מערכות שיגור אלקטרומגנטיות, מערכות נשק בעלות אנרגיה גבוהה והדמיה רפואית. יכולת תדר ההפעלה הגבוהה ב-10-100X מאפשרת שיפורים חסרי תקדים בגודלם, מִשׁקָל, נפח ובסופו של דבר, עלות מערכות כאלה.
  • מגוון אחסון אנרגיה, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשתות חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“יצאנו כמובילים בטכנולוגיית SiC במתח גבוה במיוחד על ידי מינוף יכולת הליבה שלנו בעיצוב מכשירים ותהליכים עם מערך ייצור נרחב., אִפיוּן, ומתקני בדיקה,"מסכם ד"ר. סינג. "עמדת GeneSiC אומתה כעת על ידי ה- DOE האמריקנית ביעילות עם פרס המשך משמעותי זה."

על GeneSiC Semiconductor

ממוקם אסטרטגי ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקרwww.genesicsemi.com.