יציבות המאפיינים החשמליים של טרנזיסטורי צומת "סופר" של SiC תחת DC ארוך טווח והפעלה בפעימות בטמפרטורות שונות
Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers