התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים
DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני…
GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למתג מיישר טרנזיסטור-מיישר מבוסס SiC
DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 5, 2019 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס לפיתוח SiC מבוסס…
Bodo’s Power Systems (Pg 46)
מאי, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Power Electronics Technology (Pg 36)
יולי, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack Cuts Switching Losses
Bodo’s Power Systems (Pg 36)
אוֹקְטוֹבֶּר, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors