פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון
אוקטובר, 2008 פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון
מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN
ספטמבר, 2010 מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN
Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
ספטמבר, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
ספטמבר, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
יולי, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance