Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
אפריל, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
יוני, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A טרנזיסטורי צומת SiC (SJT) עם מנהלי התקני שער IGBT הסיליקון מהמדף: קונספ כונן חד-מפלסי
מאי 2013 AN-10A טרנזיסטורי צומת SiC (SJT) עם מנהלי התקני שער IGBT הסיליקון מהמדף: קונספט כונן ברמה אחת
AN-10B נהיגה טרנזיסטורי צומת SiC (SJT): קונספט כונן שער דו-מפלסי
יוני 2013 AN-10B נהיגה טרנזיסטורי צומת SiC (SJT): קונספט כונן שער דו-מפלסי
לוח מיתוג דופק כפול
ספטמבר 2014 לוח מיתוג דופק כפול