פורסם ב 2019-06-102020-05-11זיהוי נויטרונים מהיר עם גלאי בידוד למחצה של סיליקון קרביד יוני, 2008 זיהוי נויטרונים מהיר עם גלאי בידוד למחצה של סיליקון קרביד
פורסם ב 2019-06-102020-05-11פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון אוקטובר, 2008 פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון
פורסם ב 2019-06-102020-05-11מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN ספטמבר, 2010 מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN
פורסם ב 2019-06-102020-05-11Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers ספטמבר, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
פורסם ב 2019-06-102020-05-1112.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes ספטמבר, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
פורסם ב 2019-06-102020-05-111200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance יולי, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
פורסם ב 2019-06-102020-05-1115 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation Mar, 2013 15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation