התקני כוח מסיליקון-קרביד המתפתחים מאפשרים שינויים מהפכניים בהמרת חשמל במתח גבוה
אמינות של מכשירי SiC MOS
אמינות של מכשירי SiC MOS
חדשני SiC MOS-Bipolar מתגים עבור >10 יישומי kV
מגבלות אמינות וביצועים בהתקן כוח SiC
מגבלות אמינות וביצועים בהתקני כוח SiC
DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה
השפעה מסחרית של סיליקון קרביד
השפעה מסחרית של סיליקון קרביד