פורסם ב 2019-06-102019-06-101200 טרנזיסטורים צומת "סופר" V SiC הפועלים ב 250 ° C עם הפסדי אנרגיה נמוכים במיוחד ליישומי המרת חשמל נובמבר, 2011 1200 טרנזיסטורים צומת "סופר" V SiC הפועלים ב 250 ° C עם הפסדי אנרגיה נמוכים במיוחד ליישומי המרת חשמל
פורסם ב 2019-06-102019-06-10ניצול הבטחת הטמפרטורה הגבוהה של SiC פברואר, 2012 ניצול הבטחת הטמפרטורה הגבוהה של SiC
פורסם ב 2019-06-102019-06-10סיליקון קרביד “סוּפֶּר” טרנזיסטורים צומת הפועלים ב 500 ° C אפריל, 2012 סיליקון קרביד “סוּפֶּר” טרנזיסטורים צומת הפועלים ב 500 ° C
פורסם ב 2019-06-102019-06-10יציבות המאפיינים החשמליים של טרנזיסטורי צומת "סופר" של SiC תחת DC ארוך טווח והפעלה בפעימות בטמפרטורות שונות מאי, 2012 יציבות המאפיינים החשמליים של טרנזיסטורי צומת "סופר" של SiC תחת DC ארוך טווח והפעלה בפעימות בטמפרטורות שונות
פורסם ב 2019-06-102019-06-10SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability מאי, 2012 SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
פורסם ב 2019-06-102019-06-10אפיון היציבות של רווח נוכחי ופעולת מצב מפולת של BJTs 4H-SiC אוקטובר, 2012 אפיון היציבות של רווח נוכחי ופעולת מצב מפולת של BJTs 4H-SiC
פורסם ב 2019-06-102019-06-1010 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics מאי, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
פורסם ב 2019-06-102019-06-10Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation אוקטובר, 2013 Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
פורסם ב 2019-06-102019-06-10Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation אפריל, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
פורסם ב 2019-06-102019-06-10Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers יוני, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers