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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes

DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de diodes SiC Schottky MPS ™ 1700 V de troisième génération dans le boîtier TO-247-2

GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et GB50MPS17-247; les diodes SiC 1700 V les plus performantes de l’industrie disponibles dans le populaire boîtier traversant TO-247-2. Ces diodes SiC 1700V remplacent les diodes de récupération ultra-rapides à base de silicium et d'autres JBS SiC 1700V de l'ancienne génération, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport et énergies renouvelables.

GB50MPS17-247 est une diode fusionnée PiN-schottky 1700V 50A SiC, la diode de puissance SiC discrète à courant nominal le plus élevé de l'industrie. Ces nouvelles diodes présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné à une fonderie de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et à une technologie d'assemblage discrète avancée de haute fiabilité.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches à d'autres diodes disponibles dans le boîtier TO-247-2. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.