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La nouvelle physique permet au thyristor d'atteindre un niveau supérieur

DULLES, Virginie, août 30, 2011 - La nouvelle physique permet aux thyristors d'atteindre un niveau supérieur

Un réseau électrique fournit une alimentation fiable à l'aide d'appareils électroniques qui garantissent une, flux d'énergie fiable. Jusqu'à maintenant, les assemblages à base de silicium ont été utilisés, mais ils ont été incapables de gérer les exigences du réseau intelligent. Matériaux à large bande interdite tels que le carbure de silicium (SiC) offrent une meilleure alternative car ils sont capables de vitesses de commutation plus élevées, une tension de claquage plus élevée, pertes de commutation plus faibles, et une température de jonction plus élevée que les commutateurs traditionnels à base de silicium. Le premier dispositif à base de SiC à arriver sur le marché est le thyristor en carbure de silicium à ultra-haute tension. (Thyristor SiC), développé par GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginie., avec le soutien de Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., les Etats Unis. Département de l'énergie / livraison d'électricité, et les États-Unis. Recherche sur l'armée / l'armement, Centre de développement et d'ingénierie, Arsenal de Picatinny, N.J.

Les développeurs ont adopté une physique opérationnelle différente pour cet appareil, qui fonctionne sur le transport de transporteurs minoritaires et un troisième redresseur de terminal intégré, qui est un de plus que les autres dispositifs SiC commerciaux. Les développeurs ont adopté une nouvelle technique de fabrication qui prend en charge les cotes ci-dessus 6,500 V, ainsi qu'une nouvelle conception porte-anode pour les appareils à courant fort. Capable de fonctionner à des températures allant jusqu'à 300 C et courant à 80 UNE, le SiC Thyristor offre jusqu'à 10 tension fois plus élevée, des tensions de blocage quatre fois plus élevées, et 100 fréquence de commutation fois plus rapide que les thyristors à base de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau

DULLES, Virginie, juillet 14, 2011 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2011 R&ré 100 Prix ​​pour la commercialisation de dispositifs en carbure de silicium à haute tension.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré la semaine dernière avec l'annonce qu'il a reçu le prestigieux 2011 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2010. R&D Magazine a reconnu le thyristor SiC ultra-haute tension de GeneSiC pour sa capacité à atteindre des tensions et des fréquences de blocage jamais utilisées auparavant pour les démonstrations d'électronique de puissance. Les tensions nominales de >6.5kV, courant nominal en état de 80 A et fréquences de fonctionnement de >5 kHz sont beaucoup plus élevés que ceux précédemment introduits sur le marché. Ces capacités obtenues par les thyristors de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des onduleurs connectés au réseau, Souple

Systèmes de transmission AC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) et systèmes CC haute tension (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau). Cela permettra de nouvelles inventions et développements de produits dans le domaine des énergies renouvelables, onduleurs solaires, onduleurs éoliens, et les industries du stockage d'énergie. Docteur. Ranbir Singh, Le président de GeneSiC Semiconductor a déclaré: «Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt contrôlé par porte et la capacité de puissance pulsée et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 ° C. » Depuis que ce produit a été lancé en octobre 2010, GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces thyristors en carbure de silicium. GeneSiC continue de développer sa famille de produits à thyristors en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés grâce au soutien financier SBIR du département américain. d'énergie. Plus avancé, Des thyristors SiC optimisés pour la puissance pulsée sont en cours de développement dans le cadre d'un autre contrat SBIR avec l'ARDEC, L'armée américaine. Utiliser ces développements techniques, investissement interne de GeneSiC et commandes commerciales de plusieurs clients, GeneSiC a pu proposer ces thyristors UHV en tant que produits commerciaux.

Le 49e concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

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Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau

DULLES, Virginie, Novembre 1, 2010 –Dans une offre unique en son genre, GeneSiC Semiconductor annonce la disponibilité d'une famille de thyristors en carbure de silicium en mode SCR de 6,5 kV destinés à être utilisés dans l'électronique de puissance pour les applications Smart Grid. Les avantages de performance révolutionnaires de ces dispositifs d'alimentation devraient stimuler des innovations clés dans le matériel d'électronique de puissance à grande échelle pour augmenter l'accessibilité et l'exploitation des ressources énergétiques distribuées (LES). "Jusqu'ici, Carbure de silicium multi-kV (SiC) Les dispositifs d'alimentation n'étaient pas à la disposition des chercheurs américains pour exploiter pleinement les avantages bien connus - à savoir des fréquences de fonctionnement de 2 à 10 kHz à des valeurs nominales de 5 à 15 kV - des dispositifs d'alimentation à base de SiC. a commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. « GeneSiC a récemment terminé la livraison de nombreux 6,5kV/40A, 6.5Thyristors kV/60A et 6,5kV/80A à plusieurs clients menant des recherches sur les énergies renouvelables, Applications des systèmes d'alimentation de l'armée et de la marine. Les appareils SiC avec ces cotes sont désormais proposés plus largement. »

Les thyristors à base de carbure de silicium offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. Les opportunités de recherche d'applications ciblées pour ces dispositifs incluent la conversion de puissance moyenne tension à usage général (MVDC), Onduleurs solaires connectés au réseau, onduleurs éoliens, puissance pulsée, systèmes d'armes, contrôle d'allumage, et commande de déclenchement. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs statiques VAR et compensateurs de série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique.

Docteur. Singh poursuit : « Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC.. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt commandé par porte et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 °C. GeneSiC est un innovateur émergent dans le domaine des dispositifs d'alimentation SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

Situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.