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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré en annonçant qu'il a reçu la 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et le redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs CC-CC. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructure de recharge, industries des énergies renouvelables et du stockage d'énergie. GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces appareils et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés par le département américain. of Energy et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.