DULLES, Virginie, décembre 4, 2020 — GeneSiC annonce la disponibilité de MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V, leaders de l'industrie, optimisés pour atteindre une miniaturisation inégalée, fiabilité et économies d'énergie dans le domaine de l'énergie domestique industrielle.
Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'un portefeuille complet de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de nouvelle génération - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, et G2R1000MT33J. Ces MOSFET SiC permettent des niveaux de performance supérieurs, basé sur les figures phares du mérite (FoM) qui améliorent et simplifient les systèmes d'alimentation tout au long du stockage d'énergie, énergie renouvelable, moteurs industriels, onduleurs universels et éclairage industriel. Les produits libérés sont:
G2R1000MT33J - MOSFET SiC 3300V 1000mΩ TO-263-7
G2R1000MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 1000mΩ
G2R1000MT17J - MOSFET SiC 1700V 1000mΩ TO-263-7
G3R450MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 450mΩ
G3R450MT17J - MOSFET SiC 1700V 450mΩ TO-263-7
Nouveaux MOSFET SiC 3300 V et 1700 V de GeneSiC, disponible en options 1000 mΩ et 450 mΩ sous forme de boîtiers discrets SMD et traversant, sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenus par une fabrication rapide à grand volume, améliorent encore leur proposition de valeur.
«Dans des applications telles que les onduleurs solaires 1500V, le MOSFET de l'alimentation auxiliaire peut avoir à résister à des tensions de l'ordre de 2500V, en fonction de la tension d'entrée, rapport de tours du transformateur et de la tension de sortie. Les MOSFET à tension de claquage élevée évitent le besoin de commutateurs connectés en série dans Flyback, Convertisseurs Boost et Forward réduisant ainsi le nombre de pièces et la complexité du circuit. Les MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V de GeneSiC permettent aux concepteurs d’utiliser une topologie simple basée sur un commutateur unique tout en fournissant aux clients des, système compact et économique” dit Sumit Jadav, Senior Applications Manager chez GeneSiC Semiconductor.
Caractéristiques –
- Indice prix-performance supérieur
- Produit phare Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
- Faible capacité intrinsèque et faible charge de grille
- Faibles pertes à toutes les températures
- Robustesse élevée contre les avalanches et les courts-circuits
- Tension de seuil de référence pour un fonctionnement stable normalement éteint jusqu'à 175 ° C
Applications –
- Énergie renouvelable (onduleurs solaires) et stockage d'énergie
- Moteurs industriels (et lien)
- Onduleurs à usage général
- Éclairage industriel
- Pilotes piézo
- Générateurs de faisceaux ioniques
Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support
Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contactez sales@genesicsemi.com
À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.
