GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré la semaine dernière avec l'annonce qu'il a reçu le prestigieux 2011 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2010. R&D Magazine a reconnu le thyristor SiC ultra-haute tension de GeneSiC pour sa capacité à atteindre des tensions et des fréquences de blocage jamais utilisées auparavant pour les démonstrations d'électronique de puissance. Les tensions nominales de >6.5kV, courant nominal en état de 80 A et fréquences de fonctionnement de >5 kHz sont beaucoup plus élevés que ceux précédemment introduits sur le marché. Ces capacités obtenues par les thyristors de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des onduleurs connectés au réseau, Souple
Systèmes de transmission AC (Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) et systèmes CC haute tension (Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau). Cela permettra de nouvelles inventions et développements de produits dans le domaine des énergies renouvelables, onduleurs solaires, onduleurs éoliens, et les industries du stockage d'énergie. Docteur. Ranbir Singh, Le président de GeneSiC Semiconductor a déclaré: «Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt contrôlé par porte et la capacité de puissance pulsée et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 ° C. » Depuis que ce produit a été lancé en octobre 2010, GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces thyristors en carbure de silicium. GeneSiC continue de développer sa famille de produits à thyristors en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés grâce au soutien financier SBIR du département américain. d'énergie. Plus avancé, Des thyristors SiC optimisés pour la puissance pulsée sont en cours de développement dans le cadre d'un autre contrat SBIR avec l'ARDEC, L'armée américaine. Utiliser ces développements techniques, investissement interne de GeneSiC et commandes commerciales de plusieurs clients, GeneSiC a pu proposer ces thyristors UHV en tant que produits commerciaux.
Le 49e concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.
D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.
À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.
