Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications
DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension…
GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC
DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix pour le développement de SiC-Based…
Bodo’s Power Systems (nov 46)
Peut, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Technologie de l'électronique de puissance (nov 36)
juillet, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack réduit les pertes de commutation
Bodo’s Power Systems (nov 36)
Octobre, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors