Développement de détecteurs de rayonnement à base de carbure de silicium semi-isolant
oct, 2008 Développement de détecteurs de rayonnement à base de carbure de silicium semi-isolant
Corrélation entre la durée de vie de la recombinaison des porteuses et la chute de tension directe dans les diodes 4H-SiC PiN
Septembre, 2010 Corrélation entre la durée de vie de la recombinaison des porteuses et la chute de tension directe dans les diodes 4H-SiC PiN
Co-packs de redresseurs hybrides Si-IGBT / SiC et redresseurs JBS SiC
Septembre, 2011 Co-packs de redresseurs hybrides Si-IGBT / SiC et redresseurs JBS SiC
12.9 Diodes kV SiC PiN avec de faibles chutes à l'état passant et des durées de vie élevées
Septembre, 2011 12.9 Diodes kV SiC PiN avec de faibles chutes à l'état passant et des durées de vie élevées
1200 Redresseurs V SiC Schottky optimisés pour ≥ 250 Fonctionnement en ° C avec la capacité de jonction la plus faible de sa catégorie
juillet, 2012 1200 Redresseurs V SiC Schottky optimisés pour ≥ 250 Fonctionnement en ° C avec la capacité de jonction la plus faible de sa catégorie