Septembre
Peut, 2012 Septembre
Transistors de jonction SiC « super » avec ultra-rapide (< 15 ns) Capacité de commutation
Peut, 2012 Transistors de jonction SiC « super » avec ultra-rapide (< 15 ns) Capacité de commutation
Caractérisation de la stabilité du gain de courant et du fonctionnement en mode avalanche des BJT 4H-SiC
oct, 2012 Caractérisation de la stabilité du gain de courant et du fonctionnement en mode avalanche des BJT 4H-SiC
10 kV SiC BJT – statique, caractéristiques de commutation et de fiabilité
Peut, 2013 10 kV SiC BJT – statique, caractéristiques de commutation et de fiabilité
Transistors à jonction SiC à maturation rapide avec gain de courant (b) > 130, Tensions de blocage jusqu'à 2700 V et fonctionnement stable à long terme
oct, 2013 Transistors à jonction SiC à maturation rapide avec gain de courant (b) > 130, Tensions de blocage jusqu'à 2700 V et fonctionnement stable à long terme