AN-10A entraînant des transistors à jonction SiC (SJT) avec des pilotes de grille IGBT en silicium prêts à l'emploi: Concept d'entraînement à un niveau
AN-10B Pilotant des transistors à jonction SiC (SJT): Concept d'entraînement de porte à deux niveaux
Carte de commutation à double impulsion
Carte de commande de porte haute puissance
Carte de commande de porte de faible puissance
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistors de jonction avec des gains de courant de 88 et capacité de commutation ultra-rapide
200 Transistors de jonction V SiC « Super » fonctionnant à 250 °C avec des pertes d'énergie extrêmement faibles pour les applications de conversion de puissance
Exploiter la promesse haute température du SiC
Carbure de silicium “Super” Transistors à jonction fonctionnant à 500 ° C
Septembre
Septembre