Nai-post sa

GeneSic's Industriya Nangungunang 6.5kV SIC MOSFETs – ang Vanguard para sa isang Bagong Alon ng application

6.5kV Sic mosfets

MGA DULLES, VA, Oktubre 20, 2020 — GeneSiC's release 6.5kV silicon carbide MOSFETs upang humantong ang forefront sa paghahatid ng mga antas ng pagganap, kahusayan at pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application tulad ng traksyon, pulsed kapangyarihan at smart grid imprastraktura.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng 6.5kV SIC MOSFET bare chips – G2R300MT65-CAL at G2R325MS65-CAL. Full SiC module paggamit ng teknolohiyang ito ay sa lalong madaling panahon upang i-release. Ang mga aplikasyon ay inaasahang isama ang traksyon, pulsed kapangyarihan, smart grid imprastraktura at iba pang mga daluyan-boltahe kapangyarihan converters.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

G2R325MS65-KALMADO – 6.5kV 325mΩ G2R™ SIC MOSFET (na may Integrated-Schotky) Ipinanganak chip

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

GeneSiC's makabagong mga tampok ng isang SiC double-implanted metal oxide semiconductor (DMOSFET) aparato istraktura na may isang junction barrier schotky (JBS) rectifier integrated sa Sic DMOSFET unit cell. Ito nangungunang-gilid na kapangyarihan aparato ay maaaring gamitin sa iba't ibang mga circuits ng kapangyarihan conversion sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng pagbabalik-loob. Iba pang makabuluhang mga bentahe isama ang mas mahusay na bi-direksyon pagganap, temperatura independiyenteng paglipat, mababang paglipat at pag-uugali pagkalugi, nabawasan paglamig kinakailangan, superior pangmatagalang pagiging maaasahan, kadalahan ng paghahalintulad ng mga aparato at gastos benepisyo. GeneSiC teknolohiya ay nag-aalok ng mas malaking pagganap at din ay may potensyal na upang mabawasan ang net SiC materyal footprint sa kapangyarihan converters.

“GeneSiC's 6.5kV Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela sa 6-pulgada wafers upang mapagtanto ang mababang-estado pagtutol, pinakamataas na kalidad, at nakahihigit presyo-pagganap index. Ito susunod na henerasyon MOSFETs teknolohiya pangako exemplar pagganap, superior rugged at pangmatagalang pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application.” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, VP ng Teknolohiya sa GeneSic Semiconductor.

GeneSiC's 6.5kV G2R™ SiC MOSFET teknolohiya tampok –

  • Mataas na avalanche (UIS) at maikling circuit ruggedness
  • Superior QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Temperatura independiyenteng paglipat pagkawala
  • Mababang capacitances at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic release industriya pinakamahusay na gumaganap 1700V Sic Schottky MPS™ diodes

MGA DULLES, VA, Enero 7, 2019 — GeneSiC release ng isang komprehensibong portfolio ng kanyang ikatlong henerasyon 1700V Sic Schotky MPS™ diodes sa TO-247-2 pakete

GeneSiC ay ipinakilala GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 at GB50MPS17-247; ang pinakamahusay na gumaganap 1700V SiC diodes magagamit sa popular na TO-247-2 sa pamamagitan ng hole pakete. Ang mga ito 1700V SiC diodes palitan ang silicon-based ultra-mabilis na pagbawi diodes at iba pang lumang henerasyon 1700V SiC JBS, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, transportasyon kapangyarihan supplies at renewable enerhiya.

GB50MPS17-247 ay isang 1700V 50A Sic merged-PiN-schotky diode, ang pinakamataas na kasalukuyang rate ng industriya discrete SiC kapangyarihan diode. Ang mga bagong inilabas na diodes tampok mababang pasulong boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad automotive kwalipikadong 6-pulgadang natagpuan at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly teknolohiya.

Ang mga sic diodes na ito ay pin-compatible direktang kapalit sa iba pang mga diodes na magagamit sa TO-247-2 pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.