MGA DULLES, VA, Oktubre 20, 2020 — GeneSiC's release 6.5kV silicon carbide MOSFETs upang humantong ang forefront sa paghahatid ng mga antas ng pagganap, kahusayan at pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application tulad ng traksyon, pulsed kapangyarihan at smart grid imprastraktura.
GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng 6.5kV SIC MOSFET bare chips – G2R300MT65-CAL at G2R325MS65-CAL. Full SiC module paggamit ng teknolohiyang ito ay sa lalong madaling panahon upang i-release. Ang mga aplikasyon ay inaasahang isama ang traksyon, pulsed kapangyarihan, smart grid imprastraktura at iba pang mga daluyan-boltahe kapangyarihan converters.
G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip
G2R325MS65-KALMADO – 6.5kV 325mΩ G2R™ SIC MOSFET (na may Integrated-Schotky) Ipinanganak chip
G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip
GeneSiC's makabagong mga tampok ng isang SiC double-implanted metal oxide semiconductor (DMOSFET) aparato istraktura na may isang junction barrier schotky (JBS) rectifier integrated sa Sic DMOSFET unit cell. Ito nangungunang-gilid na kapangyarihan aparato ay maaaring gamitin sa iba't ibang mga circuits ng kapangyarihan conversion sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng pagbabalik-loob. Iba pang makabuluhang mga bentahe isama ang mas mahusay na bi-direksyon pagganap, temperatura independiyenteng paglipat, mababang paglipat at pag-uugali pagkalugi, nabawasan paglamig kinakailangan, superior pangmatagalang pagiging maaasahan, kadalahan ng paghahalintulad ng mga aparato at gastos benepisyo. GeneSiC teknolohiya ay nag-aalok ng mas malaking pagganap at din ay may potensyal na upang mabawasan ang net SiC materyal footprint sa kapangyarihan converters.
“GeneSiC's 6.5kV Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela sa 6-pulgada wafers upang mapagtanto ang mababang-estado pagtutol, pinakamataas na kalidad, at nakahihigit presyo-pagganap index. Ito susunod na henerasyon MOSFETs teknolohiya pangako exemplar pagganap, superior rugged at pangmatagalang pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application.” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, VP ng Teknolohiya sa GeneSic Semiconductor.
GeneSiC's 6.5kV G2R™ SiC MOSFET teknolohiya tampok –
- Mataas na avalanche (UIS) at maikling circuit ruggedness
- Superior QG x rDS(SA) figure ng merit
- Temperatura independiyenteng paglipat pagkawala
- Mababang capacitances at mababang gate singilin
- Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
- Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C
- +20 V / -5 V gate drive
Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com
Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.
