Nai-post sa

G3R™ 750V SIC MOSFETs Nag-aalok ng Unparalleled Pagganap at Pananagutan

750V G3R SiC MOSFET

MGA DULLES, VA, Hunyo 04, 2021 — GeneSic's susunod na henerasyon 750V G3R™SiC MOSFETs ay maghahatid ng walang kapantay na antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama mababang-estado drops sa operating temperatura, mas mabilis paglipat bilis, nadagdagan ang kapangyarihan density, minimal singsing (mababang EMI) at compact system laki. GeneSiC's G3R™, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay optimized upang mapatakbo na may pinakamababang kapangyarihan pagkawala sa ilalim ng lahat ng mga kondisyon ng operating at ultra-mabilis na paglipat ng bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na antas ng pagganap kumpara sa mga kontemporaryo Sic MOSFETs.

750V G3R SiC MOSFET

"Mataas na kahusayan enerhiya paggamit ay naging isang kritikal na maihahatid sa susunod na henerasyon kapangyarihan converters at SiC power devices patuloy na ang mga pangunahing bahagi sa pagmamaneho rebolusyong ito. Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang sa estado pagtutol at matibay maikling circuit at avalanche pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap 750V Sic MOSFETs. Ang aming G3R paganahin™ ang kapangyarihan electronic designer upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng solar inverters, EV sa board chargers at server /telecom power supplies. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-palibot at automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposisyon. ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Pinakamababang singil sa industriya (QG) at panloob na gate pagtutol (RG(INT))
  • Pinakamababang RDS(SA) baguhin sa temperatura
  • Mababang output kapasidad (COSS) at miler kakayahan (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Industriya-nangungunang maikling circuit na may kakayahan
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang VF at mababang QRR
  • Mataas at matatag na gate threshold boltahe (VTH) sa kabuuan ng lahat ng temperatura at drain-bias kondisyon
  • Advanced na packaging teknolohiya para sa mas mababang thermal pagtutol at mas mababang singsing
  • Pagmamanupaktura uniporme ng RDS(SA), VTH at breakdown boltahe (BV)
  • Komprehensibong produkto portfolio at mas ligtas na supply ng chain na may automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura

Mga aplikasyon –

  • Solar (PV) Mga Inverters
  • EV / HEV Onboard Chargers
  • Server & Telecom Power Supplies
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • DC-DC Converter
  • Lumipat mode power Supplies (SMPS)
  • Enerhiya Imbakan at Baterya Singilin
  • Induction pag-init

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ to-263-7 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ to-247-4 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ to-247-3 G3R&kalakalan SIC MOSFET

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo ang prestihiyoso R&D100 Award para sa SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch

MGA DULLES, VA, Disyembre 5, 2019 — R&D Magazine ay napili GeneSic Semiconductor Inc. ng mga Dulles, VA bilang isang tatanggap ng prestihiyoso 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC ang Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. Ang R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.

Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo $2.53M mula sa ARPA-E patungo sa pag-unlad ng Silicon Carbide Thyristor-based na aparato

MGA DULLES, VA, Setyembre 28, 2010 – Advanced na Pananaliksik Proyekto Ahensiya – Enerhiya (ARPA-E) ay ipinasok sa isang Kasunduan sa Kooperative Kasunduan sa GeneSiC Semiconductor-humantong koponan patungo sa pagbuo ng nobelang ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) Thyristor batay aparato. Ang mga aparatong ito ay inaasahang maging key enable para sa pagsasama-sama ng malakihang hangin at solar power halaman sa susunod na henerasyon Smart Grid.

"Ang mataas na mapagkumpitensyang award na ito sa GeneSiC ay magpapahintulot sa amin na palawain ang aming teknikal na posisyon sa multi-kV Silicon Carbide teknolohiya, pati na rin ang aming pangako sa grid-scale alternatibong mga solusyon enerhiya na may solid estado solusyon," komento Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "Multi-kV Sic Thyristors namin pagbuo ay ang susi na nagbibigay-kakayahang teknolohiya patungo sa pagkaunawa ng Nababaluktot AC Transmission System (Katotohanan) mga elemento at Mataas na Boltahe DC (HVDC) arkitektura envisaged patungo sa isang integrated, mahusay na, Smart Grid ng hinaharap. GeneSiC's Sic-based Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis na paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon sa FACTS at HVDC power processing solusyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors."

Noong Abril 2010, GeneSiC tumugon sa Agile Paghahatid ng Electrical Power Teknolohiya (ADEPT) solicitation mula sa ARPA-E na naghangad na mamuhunan sa mga materyales para sa mga pangunahing advances sa mataas na boltahe switch na may potensyal na lumukso umiiral na kapangyarihan converter pagganap habang nag-aalok ng pagbabawas sa gastos. Ang panukala ng kumpanya na pinamagatang "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor para sa daluyan ng voltage power conversion" ay pinili upang magbigay ng isang magaan na timbang, solid-estado, daluyan ng enerhiya pagbabalik-loob para sa mataas na kapangyarihan application tulad ng solid-estado electrical substations at hangin turbina generators. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan. Makabagong-likha ang napiling suportahan at itaguyod ang US. mga negosyo sa pamamagitan ng teknolohikal na pamumuno, sa pamamagitan ng isang mataas na mapagkumpitensya proseso.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may malawak na mas mataas na katangian upang maginoo silicon, tulad ng kakayahang hawakan nang sampung beses ang boltahe—at isandaang beses ang kasalukuyan—sa mga temperatura na kasingtaas 300ºC. Ang mga katangiang ito ay ginagawang angkop sa mataas na kapangyarihan aplikasyon tulad ng hybrid at electric sasakyan, renewable enerhiya (hangin at solar) mga instalasyon, at electrical-grid control system.

Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Iba pang mga promising application at bentahe para sa mga device na ito isama:

  • Power-management at power-conditioning system para sa Medium Voltage DC conversion na hinangad sa ilalim ng Hinaharap Naval Capability (FNC) ng US Navy, Electro-magnetic ilunsad system, mataas na enerhiya armas system at medikal na imaging. Ang 10-100X mas mataas na operating kakayahan ay nagbibigay-daan sa walang kapantay na pagpapabuti sa laki, timbang, dami at sa huli, gastos ng naturang sistema.
  • Iba't-ibang imbakan ng enerhiya, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

“Lumitaw kami bilang lider sa ultra-mataas na boltahe Sic teknolohiya sa pamamagitan ng leveraging ang aming core competency sa aparato at proseso ng disenyo na may isang malawak na suite ng tela, katangian, at pagsubok pasilidad," concludes Dr. Singh. "Ang posisyon ni GeneSiC ay epektibong napatibay ng US DOE na may makabuluhang follow-on award."

Tungkol sa GeneSic Semiconductor

Estratehikong matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahinwww.genesicsemi.com.