MGA DULLES, VA, Setyembre 28, 2010 – Advanced na Pananaliksik Proyekto Ahensiya – Enerhiya (ARPA-E) ay ipinasok sa isang Kasunduan sa Kooperative Kasunduan sa GeneSiC Semiconductor-humantong koponan patungo sa pagbuo ng nobelang ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) Thyristor batay aparato. Ang mga aparatong ito ay inaasahang maging key enable para sa pagsasama-sama ng malakihang hangin at solar power halaman sa susunod na henerasyon Smart Grid.
"Ang mataas na mapagkumpitensyang award na ito sa GeneSiC ay magpapahintulot sa amin na palawain ang aming teknikal na posisyon sa multi-kV Silicon Carbide teknolohiya, pati na rin ang aming pangako sa grid-scale alternatibong mga solusyon enerhiya na may solid estado solusyon," komento Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "Multi-kV Sic Thyristors namin pagbuo ay ang susi na nagbibigay-kakayahang teknolohiya patungo sa pagkaunawa ng Nababaluktot AC Transmission System (Katotohanan) mga elemento at Mataas na Boltahe DC (HVDC) arkitektura envisaged patungo sa isang integrated, mahusay na, Smart Grid ng hinaharap. GeneSiC's Sic-based Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis na paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon sa FACTS at HVDC power processing solusyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors."
Noong Abril 2010, GeneSiC tumugon sa Agile Paghahatid ng Electrical Power Teknolohiya (ADEPT) solicitation mula sa ARPA-E na naghangad na mamuhunan sa mga materyales para sa mga pangunahing advances sa mataas na boltahe switch na may potensyal na lumukso umiiral na kapangyarihan converter pagganap habang nag-aalok ng pagbabawas sa gastos. Ang panukala ng kumpanya na pinamagatang "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor para sa daluyan ng voltage power conversion" ay pinili upang magbigay ng isang magaan na timbang, solid-estado, daluyan ng enerhiya pagbabalik-loob para sa mataas na kapangyarihan application tulad ng solid-estado electrical substations at hangin turbina generators. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan. Makabagong-likha ang napiling suportahan at itaguyod ang US. mga negosyo sa pamamagitan ng teknolohikal na pamumuno, sa pamamagitan ng isang mataas na mapagkumpitensya proseso.
Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may malawak na mas mataas na katangian upang maginoo silicon, tulad ng kakayahang hawakan nang sampung beses ang boltahe—at isandaang beses ang kasalukuyan—sa mga temperatura na kasingtaas 300ºC. Ang mga katangiang ito ay ginagawang angkop sa mataas na kapangyarihan aplikasyon tulad ng hybrid at electric sasakyan, renewable enerhiya (hangin at solar) mga instalasyon, at electrical-grid control system.
Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Iba pang mga promising application at bentahe para sa mga device na ito isama:
- Power-management at power-conditioning system para sa Medium Voltage DC conversion na hinangad sa ilalim ng Hinaharap Naval Capability (FNC) ng US Navy, Electro-magnetic ilunsad system, mataas na enerhiya armas system at medikal na imaging. Ang 10-100X mas mataas na operating kakayahan ay nagbibigay-daan sa walang kapantay na pagpapabuti sa laki, timbang, dami at sa huli, gastos ng naturang sistema.
- Iba't-ibang imbakan ng enerhiya, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.
GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.
“Lumitaw kami bilang lider sa ultra-mataas na boltahe Sic teknolohiya sa pamamagitan ng leveraging ang aming core competency sa aparato at proseso ng disenyo na may isang malawak na suite ng tela, katangian, at pagsubok pasilidad," concludes Dr. Singh. "Ang posisyon ni GeneSiC ay epektibong napatibay ng US DOE na may makabuluhang follow-on award."
Tungkol sa GeneSic Semiconductor
Estratehikong matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahinwww.genesicsemi.com.
