GeneSiC ay ipinakilala GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 at GB50MPS17-247; ang pinakamahusay na gumaganap 1700V SiC diodes magagamit sa popular na TO-247-2 sa pamamagitan ng hole pakete. Ang mga ito 1700V SiC diodes palitan ang silicon-based ultra-mabilis na pagbawi diodes at iba pang lumang henerasyon 1700V SiC JBS, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, transportasyon kapangyarihan supplies at renewable enerhiya.
GB50MPS17-247 ay isang 1700V 50A Sic merged-PiN-schotky diode, ang pinakamataas na kasalukuyang rate ng industriya discrete SiC kapangyarihan diode. Ang mga bagong inilabas na diodes tampok mababang pasulong boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad automotive kwalipikadong 6-pulgadang natagpuan at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly teknolohiya.
Ang mga sic diodes na ito ay pin-compatible direktang kapalit sa iba pang mga diodes na magagamit sa TO-247-2 pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.
Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.
GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.
