Sic "Super" Junction Transistors sa Ultra-Mabilis (< 15 ns) Paglipat ng Kakayahan
Katangian ng Katatagan ng Kasalukuyang Makakuha at Avalanche-Mode Operation ng 4H-Sic BJTs
10 kV Sic BJTs – static, paglipat at pananagutan katangian
Mabilis na pagkahusga Sic Junction Transistor Na nagtatampok ng Kasalukuyang Makakuha ng (β) > 130, Pagharang ng mga Boltahe Hanggang sa 2700 V at Matatag na Pangmatagalang Operasyon
Silicon Carbide Junction Transistors at Schotky Rectifiers optimize para sa 250 °C operasyon
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT) sa mga Off the Shelf Silicon IGBT Gate Driver: Isang-Antas ng Drive Concep
AN-10B Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT): Konsepto ng Dalawang Antas na Gate Drive
Lupon ng Double Pulse Switching
Lupon ng Double Pulse Switching
Mataas na Power Gate Driver Board
Mataas na Power Gate Driver Board