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La nueva física permite que el tiristor alcance un nivel más alto

DULLES, Virginia, agosto 30, 2011 - La nueva física permite que los tiristores alcancen un nivel superior

Una red de energía eléctrica suministra energía confiable con la ayuda de dispositivos electrónicos que garantizan, flujo de energía confiable. Hasta ahora, Se ha confiado en ensamblajes a base de silicio, pero no han podido cumplir con los requisitos de la red inteligente. Materiales de banda ancha como carburo de silicio (Sic) ofrecen una mejor alternativa ya que son capaces de velocidades de conmutación más altas, un voltaje de ruptura más alto, menores pérdidas de conmutación, y una temperatura de unión más alta que los interruptores tradicionales basados ​​en silicio. El primer dispositivo de este tipo basado en SiC en llegar al mercado es el tiristor de carburo de silicio de ultra alto voltaje. (Tiristor de SiC), desarrollado por GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginia., con el apoyo de Sandia National Laboratories, Albuquerque, NUEVO MÉJICO., los Estados Unidos. Departamento de Energía / Suministro de Electricidad, y los estados unidos. Investigación del ejército / armamento, Centro de desarrollo e ingeniería, Picatinny Arsenal, NUEVA JERSEY.

Los desarrolladores adoptaron una física operativa diferente para este dispositivo., que opera en transporte de transportistas minoritarios y un tercer rectificador de terminal integrado, que es uno más que otros dispositivos comerciales de SiC. Los desarrolladores adoptaron una nueva técnica de fabricación que admite calificaciones superiores 6,500 V, así como un nuevo diseño de ánodo de puerta para dispositivos de alta corriente. Capaz de funcionar a temperaturas de hasta 300 C y corriente en 80 UN, el tiristor de SiC ofrece hasta 10 veces mayor voltaje, tensiones de bloqueo cuatro veces más altas, http 100 frecuencia de conmutación veces más rápida que los tiristores basados ​​en silicio.

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GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 para dispositivos de SiC en aplicaciones de energía solar y eólica conectadas a la red

DULLES, Virginia, mes de julio 14, 2011 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2011 R&D 100 Premio a la comercialización de dispositivos de carburo de silicio con clasificaciones de alta tensión.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados ​​en carburo de silicio fue honrado la semana pasada con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2010. R&D Magazine reconoció al Tiristor SiC de voltaje ultra alto de GeneSiC por su capacidad para lograr voltajes y frecuencias de bloqueo nunca antes utilizados para demostraciones de electrónica de potencia.. Las clasificaciones de voltaje de >6.5kV, corriente nominal en estado de 80 A y frecuencias de funcionamiento de >5 kHz son mucho más altos que los introducidos anteriormente en el mercado. Estas capacidades logradas por los tiristores de GeneSiC permiten fundamentalmente a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar inversores conectados a la red., Flexible

Sistemas de transmisión de CA (HECHOS) y sistemas de CC de alto voltaje (HVDC). Esto permitirá nuevos inventos y desarrollos de productos dentro de las energías renovables., inversores solares, inversores de energía eólica, e industrias de almacenamiento de energía. Dr. Ranbir Singh, El presidente de GeneSiC Semiconductor comentó: “Se prevé que los mercados a gran escala de subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y la capacidad de potencia pulsada y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". Desde que se lanzó este producto en octubre 2010, GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada utilizando estos tiristores de carburo de silicio. GeneSiC continúa desarrollando su familia de productos de tiristores de carburo de silicio. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del apoyo financiero SBIR del Departamento de EE. UU.. de energía. Más avanzado, Los tiristores de SiC optimizados de potencia pulsada se están desarrollando bajo otro contrato SBIR con ARDEC, Ejercítio EE.UU. Usando estos desarrollos técnicos, Inversión interna de GeneSiC y pedidos comerciales de múltiples clientes., GeneSiC pudo ofrecer estos tiristores UHV como productos comerciales.

La 49a competencia anual de tecnología dirigida por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.

Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados ​​en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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Multi-kHz, Tiristores de carburo de silicio de voltaje ultra alto muestreados para investigadores de EE. UU.

DULLES, Virginia, noviembre 1, 2010 –En una oferta única en su género, GeneSiC Semiconductor anuncia la disponibilidad de una familia de tiristores de carburo de silicio en modo SCR de 6,5 kV para uso en electrónica de potencia para aplicaciones de redes inteligentes. Se espera que las revolucionarias ventajas de rendimiento de estos dispositivos de energía estimulen innovaciones clave en el hardware de la electrónica de potencia a escala de servicios públicos para aumentar la accesibilidad y la explotación de los recursos energéticos distribuidos. (EL). "Hasta ahora, carburo de silicio de varios kV (Sic) los dispositivos de potencia no estaban disponibles abiertamente para que los investigadores de EE. UU. explotaran plenamente las conocidas ventajas, es decir, frecuencias de funcionamiento de 2 a 10 kHz a valores nominales de 5 a 15 kV, de los dispositivos de potencia basados ​​en SiC ". comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “GeneSiC ha completado recientemente la entrega de muchos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A y 6.5kV / 80A para múltiples clientes que realizan investigaciones en energías renovables, Aplicaciones del sistema de energía del ejército y la marina. Los dispositivos SiC con estas clasificaciones ahora se ofrecen de manera más amplia ".

Los tiristores basados ​​en carburo de silicio ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y funcionamiento a mayor temperatura en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio. Las oportunidades de investigación de aplicaciones específicas para estos dispositivos incluyen conversión de energía de voltaje medio de propósito general (MVDC), Inversores solares conectados a la red, inversores de energía eólica, potencia pulsada, sistemas de armas, control de encendido, y control de gatillo. Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica.

Dr. Singh continúa: “Se anticipa que los mercados a gran escala en subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta plenamente de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". GeneSiC es un innovador de rápida aparición en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

Ubicado cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.