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Los MOSFET G3R ™ de 750 V SiC ofrecen un rendimiento y una fiabilidad incomparables

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas de estado a temperaturas de funcionamiento, velocidades de conmutación más rápidas, mayor densidad de potencia, timbre mínimo (baja EMI) y tamaño de sistema compacto. G3R ™ de GeneSiC, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están optimizados para funcionar con las pérdidas de energía más bajas en todas las condiciones de funcionamiento y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los MOSFET SiC contemporáneos..

750MOSFET V G3R SiC

“El uso de energía de alta eficiencia se ha convertido en un producto crítico en los convertidores de energía de próxima generación y los dispositivos de energía SiC continúan siendo los componentes clave que impulsan esta revolución. Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un rendimiento robusto contra cortocircuitos y avalanchas, Estamos muy contentos de lanzar los MOSFET de SiC de 750 V de mejor rendimiento de la industria.. Nuestro G3R ™ permite a los diseñadores de electrónica de potencia cumplir con la exigente eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como inversores solares., Cargadores de vehículos eléctricos a bordo y fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones. Una calidad asegurada, respaldado por una producción de alto volumen de respuesta rápida y calificada para la industria automotriz mejora aún más su propuesta de valor. ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • El cargo por puerta más bajo de la industria (QGRAMO) y resistencia interna de la puerta (RG(EN T))
  • R más bajoDS(EN) cambiar con la temperatura
  • Capacitancia de salida baja (Cnosotros) y capacitancia de miler (CGD)
  • 100% avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Capacidad de resistencia a cortocircuitos líder en la industria
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja VF y bajo QRR
  • Voltaje de umbral de puerta alto y estable (VTH) en todas las condiciones de temperatura y desviación de drenaje
  • Tecnología de envasado avanzada para menor resistencia térmica y menor timbre
  • Uniformidad de fabricación de RDS(EN), VTH y voltaje de ruptura (BV)
  • Cartera de productos completa y cadena de suministro más segura con fabricación de alto volumen calificada para la industria automotriz

Aplicaciones –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Cargadores a bordo HEV
  • Servidor & Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Almacenamiento de energía y carga de baterías
  • Calentamiento por inducción

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 G3R&comercio MOSFET de SiC

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

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Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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Nuevos MOSFET SiC de tercera generación de GeneSiC con la mejor figura de méritos de la industria

DULLES, Virginia, Febrero 12, 2020 — MOSFET de SiC 1200V G3R ™ de última generación de GeneSiC Semiconductor con RDS(EN) niveles que van desde 20 mΩ a 350 mΩ ofrece niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen una mayor eficiencia, frecuencia de conmutación más rápida, mayor densidad de potencia, timbre reducido (EMI) y tamaño de sistema compacto.

GeneSiC anuncia la disponibilidad de sus MOSFET de carburo de silicio de tercera generación líderes en la industria que cuentan con un rendimiento líder en la industria, robustez y calidad para aprovechar niveles nunca antes vistos de eficiencia y confiabilidad del sistema en aplicaciones automotrices e industriales.

Estos MOSFET de SiC G3R ™, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de respuesta rápida mejora aún más su propuesta de valor.

“Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un mejor rendimiento en cortocircuitos, Estamos entusiasmados de lanzar los MOSFET de 1200 V SiC de mejor rendimiento de la industria con más de 15+ productos discretos y desnudos. Si los sistemas de electrónica de potencia de próxima generación van a cumplir con la desafiante eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como la automoción., industrial, energía renovable, transporte, TI y telecomunicaciones, luego requieren un rendimiento y una confiabilidad del dispositivo significativamente mejorados en comparación con los MOSFET de SiC actualmente disponibles” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito – Los MOSFET de SiC G3R ™ cuentan con la resistencia en estado más baja de la industria con una carga de puerta muy baja, resultando en 20% mejor figura de mérito que cualquier otro dispositivo similar de la competencia
  • Pérdidas de conducción bajas a todas las temperaturas – Los MOSFET de GeneSiC presentan la dependencia de temperatura más suave de la resistencia en estado para ofrecer pérdidas de conducción muy bajas a todas las temperaturas.; significativamente mejor que cualquier otro MOSFET de SiC plano y de trinchera del mercado
  • 100 % avalancha probado – La sólida capacidad de UIL es un requisito fundamental para la mayoría de las aplicaciones de campo. Los MOSFET discretos de 1200 V SiC de GeneSiC son 100 % avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Carga de puerta baja y resistencia de puerta interna baja – Estos parámetros son fundamentales para lograr una conmutación ultrarrápida y lograr la máxima eficiencia. (bajo Eon -Eoff) en una amplia gama de frecuencias de conmutación de aplicaciones
  • Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C – Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados con procesos de vanguardia para ofrecer productos que son estables y confiables en todas las condiciones de operación sin ningún riesgo de mal funcionamiento.. La calidad superior de óxido de puerta de estos dispositivos evita cualquier umbral (VTH) deriva
  • Capacidades de dispositivo bajas – G3R ™ están diseñados para conducir más rápido y más eficientemente con sus bajas capacitancias de dispositivos - Ciss, Coss y Crss
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja carga intrínseca – Los MOSFET de GeneSiC cuentan con una carga de recuperación inversa baja de referencia (QRR) a todas las temperaturas; 30% mejor que cualquier dispositivo de la competencia con calificación similar. Esto ofrece una mayor reducción de las pérdidas de energía y aumenta las frecuencias de funcionamiento.
  • Facilidad de uso – Los MOSFET de SiC G3R ™ están diseñados para funcionar a + 15V / -5Unidad de puerta V. Esto ofrece la más amplia compatibilidad con los controladores de puerta IGBT y SiC MOSFET comerciales existentes.

Aplicaciones –

  • Vehículo eléctrico – Tren de fuerza y ​​carga
  • Inversor solar y almacenamiento de energía
  • Accionamiento de motor industrial
  • Fuente de poder ininterrumpible (UPS)
  • Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Convertidores DC-DC bidireccionales
  • Smart Grid y HVDC
  • Calentamiento y soldadura por inducción
  • Aplicación de energía pulsada

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Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP. Todos los dispositivos se ofrecen en el estándar de la industria D2PAK, Paquetes TO-247 y SOT-227.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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Los MOSFET SiC de GeneSiC de 3300V y 1700V 1000mΩ revolucionan la miniaturización de las fuentes de alimentación auxiliares

DULLES, Virginia, diciembre 4, 2020 — GeneSiC anuncia la disponibilidad de los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V líderes en la industria que están optimizados para lograr una miniaturización incomparable, confiabilidad y ahorro de energía en energía de limpieza industrial.

Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una cartera completa de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, anuncia hoy la disponibilidad inmediata de los MOSFET SiC de 3300V y 1700V 1000mΩ de próxima generación - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, y G2R1000MT33J. Estos MOSFET de SiC permiten niveles de rendimiento superiores, basado en figuras emblemáticas de mérito (FoM) que mejoran y simplifican los sistemas de energía a través del almacenamiento de energía, energía renovable, motores industriales, inversores de uso general e iluminación industrial. Los productos lanzados son:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 MOSFET SiC

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 MOSFET SiC

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

Nuevos MOSFET SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC, disponible en opciones de 1000mΩ y 450mΩ como paquetes discretos SMD y Through-Hole, están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de entrega rápida mejorar aún más su propuesta de valor.

“En aplicaciones como inversores solares de 1500 V, el MOSFET en la fuente de alimentación auxiliar puede tener que soportar voltajes en el rango de 2500V, dependiendo de la tensión de entrada, relación de vueltas del transformador y la tensión de salida. Los MOSFET de alto voltaje de ruptura evitan la necesidad de interruptores conectados en serie en Flyback, Convertidores Boost y Forward que reducen el recuento de piezas y reducen la complejidad del circuito. Los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC permiten a los diseñadores utilizar una topología basada en un único interruptor más simple y, al mismo tiempo, proporcionan a los clientes, sistema compacto y rentable” dijo Sumit Jadav, Gerente Senior de Aplicaciones en GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Índice superior de precio-rendimiento
  • Buque insignia QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
  • Capacidad intrínseca baja y carga de puerta baja
  • Bajas pérdidas a todas las temperaturas
  • Gran robustez ante avalanchas y cortocircuitos
  • Voltaje de umbral de referencia para un funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C

Aplicaciones –

  • Energía renovable (inversores solares) y almacenamiento de energía
  • Motores industriales (y vínculo)
  • Inversores de propósito general
  • Iluminación industrial
  • Controladores piezoeléctricos
  • Generadores de haz de iones

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

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GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio, como tracción, energía pulsada e infraestructura de red inteligente.

Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, hoy anuncia la disponibilidad inmediata de chips desnudos MOSFET SiC de 6.5kV - G2R300MT65-CAL y G2R325MS65-CAL. Próximamente se lanzarán módulos completos de SiC que utilizan esta tecnología. Se espera que las aplicaciones incluyan tracción, potencia pulsada, infraestructura de red inteligente y otros convertidores de potencia de media tensión.

G2R300MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 325 mΩ (con Schottky integrado) Chip desnudo

G2R100MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6.5kV 100mΩ

La innovación de GeneSiC incluye un semiconductor de óxido metálico de doble implantación SiC (DMOSFET) estructura del dispositivo con una barrera de unión schottky (JBS) rectificador integrado en la celda unitaria SiC DMOSFET. Este dispositivo de energía de vanguardia se puede utilizar en una variedad de circuitos de conversión de energía en la próxima generación de sistemas de conversión de energía.. Otras ventajas importantes incluyen un rendimiento bidireccional más eficiente, conmutación independiente de la temperatura, bajas pérdidas de conmutación y conducción, requisitos de enfriamiento reducidos, fiabilidad superior a largo plazo, facilidad de conexión en paralelo de dispositivos y beneficios económicos. La tecnología de GeneSiC ofrece un rendimiento superior y también tiene el potencial de reducir la huella neta de material de SiC en los convertidores de potencia..

“Los MOSFET de SiC de 6.5kV de GeneSiC están diseñados y fabricados en obleas de 6 pulgadas para lograr una baja resistencia en estado, de la máxima calidad, e índice superior de precio-rendimiento. Esta tecnología MOSFET de próxima generación promete un rendimiento ejemplar, robustez superior y confiabilidad a largo plazo en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio.” dijo Dr. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología en GeneSiC Semiconductor.

Características de la tecnología MOSFET SiC G2R ™ de 6.5kV de GeneSiC –

  • Alta avalancha (UIS) y robustez de cortocircuito
  • Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
  • Pérdidas de conmutación independientes de la temperatura
  • Capacidades bajas y carga de puerta baja
  • Bajas pérdidas a todas las temperaturas
  • Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
  • +20 V / -5 Unidad de puerta V

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contactar sales@genesicsemi.com

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC

DULLES, Virginia, diciembre 5, 2019 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2019 R&D 100 Premio por el desarrollo del conmutador rectificador de transistor monolítico basado en SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados ​​en carburo de silicio fue honrado con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2018. R&D Magazine reconoció la tecnología de dispositivo de potencia SiC de voltaje medio de GeneSiC por su capacidad para integrar monolíticamente MOSFET y rectificador Schottky en un solo chip. Estas capacidades logradas por el dispositivo de GeneSiC permiten a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, como inversores y convertidores CC-CC.. Esto permitirá el desarrollo de productos dentro de los vehículos eléctricos., infraestructura de carga, industrias de energías renovables y almacenamiento de energía. GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada que utiliza estos dispositivos y continúa desarrollando su familia de productos MOSFET de carburo de silicio.. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del Departamento de EE. UU.. de Energía y colaboración con Sandia National Laboratories.

El concurso tecnológico anual dirigido por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.

Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados ​​en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.