DULLES, Virginia, diciembre 4, 2020 — GeneSiC anuncia la disponibilidad de los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V líderes en la industria que están optimizados para lograr una miniaturización incomparable, confiabilidad y ahorro de energía en energía de limpieza industrial.
Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una cartera completa de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, anuncia hoy la disponibilidad inmediata de los MOSFET SiC de 3300V y 1700V 1000mΩ de próxima generación - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, y G2R1000MT33J. Estos MOSFET de SiC permiten niveles de rendimiento superiores, basado en figuras emblemáticas de mérito (FoM) que mejoran y simplifican los sistemas de energía a través del almacenamiento de energía, energía renovable, motores industriales, inversores de uso general e iluminación industrial. Los productos lanzados son:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC
G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 MOSFET SiC
G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC
G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 MOSFET SiC
G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 MOSFET SiC
Nuevos MOSFET SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC, disponible en opciones de 1000mΩ y 450mΩ como paquetes discretos SMD y Through-Hole, están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de entrega rápida mejorar aún más su propuesta de valor.
“En aplicaciones como inversores solares de 1500 V, el MOSFET en la fuente de alimentación auxiliar puede tener que soportar voltajes en el rango de 2500V, dependiendo de la tensión de entrada, relación de vueltas del transformador y la tensión de salida. Los MOSFET de alto voltaje de ruptura evitan la necesidad de interruptores conectados en serie en Flyback, Convertidores Boost y Forward que reducen el recuento de piezas y reducen la complejidad del circuito. Los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC permiten a los diseñadores utilizar una topología basada en un único interruptor más simple y, al mismo tiempo, proporcionan a los clientes, sistema compacto y rentable” dijo Sumit Jadav, Gerente Senior de Aplicaciones en GeneSiC Semiconductor.
Caracteristicas –
- Índice superior de precio-rendimiento
- Buque insignia QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
- Capacidad intrínseca baja y carga de puerta baja
- Bajas pérdidas a todas las temperaturas
- Gran robustez ante avalanchas y cortocircuitos
- Voltaje de umbral de referencia para un funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
Aplicaciones –
- Energía renovable (inversores solares) y almacenamiento de energía
- Motores industriales (y vínculo)
- Inversores de propósito general
- Iluminación industrial
- Controladores piezoeléctricos
- Generadores de haz de iones
Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support
Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contactar sales@genesicsemi.com
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.
