GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados en carburo de silicio fue honrado la semana pasada con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2010. R&D Magazine reconoció al Tiristor SiC de voltaje ultra alto de GeneSiC por su capacidad para lograr voltajes y frecuencias de bloqueo nunca antes utilizados para demostraciones de electrónica de potencia.. Las clasificaciones de voltaje de >6.5kV, corriente nominal en estado de 80 A y frecuencias de funcionamiento de >5 kHz son mucho más altos que los introducidos anteriormente en el mercado. Estas capacidades logradas por los tiristores de GeneSiC permiten fundamentalmente a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar inversores conectados a la red., Flexible
Sistemas de transmisión de CA (HECHOS) y sistemas de CC de alto voltaje (HVDC). Esto permitirá nuevos inventos y desarrollos de productos dentro de las energías renovables., inversores solares, inversores de energía eólica, e industrias de almacenamiento de energía. Dr. Ranbir Singh, El presidente de GeneSiC Semiconductor comentó: “Se prevé que los mercados a gran escala de subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y la capacidad de potencia pulsada y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". Desde que se lanzó este producto en octubre 2010, GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada utilizando estos tiristores de carburo de silicio. GeneSiC continúa desarrollando su familia de productos de tiristores de carburo de silicio. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del apoyo financiero SBIR del Departamento de EE. UU.. de energía. Más avanzado, Los tiristores de SiC optimizados de potencia pulsada se están desarrollando bajo otro contrato SBIR con ARDEC, Ejercítio EE.UU. Usando estos desarrollos técnicos, Inversión interna de GeneSiC y pedidos comerciales de múltiples clientes., GeneSiC pudo ofrecer estos tiristores UHV como productos comerciales.
La 49a competencia anual de tecnología dirigida por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.
Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.
