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5Diodos Schottky MPS ™ de generación de 650 V SiC para la mejor eficiencia en su clase

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, Virginia, Mayo 28, 2021 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores de potencia, anuncia la disponibilidad de la quinta generación (Serie GE ***) Rectificadores SiC Schottky MPS ™ que están estableciendo un nuevo punto de referencia con su índice superior de precio-rendimiento, Corriente de sobretensión líder en la industria y robustez ante avalanchas., y fabricación de alta calidad.

“GeneSiC fue uno de los primeros fabricantes de SiC en suministrar comercialmente rectificadores Schottky de SiC en 2011. Después de más de una década de suministrar rectificadores de SiC de alto rendimiento y alta calidad en la industria, estamos emocionados de lanzar nuestra quinta generación de SiC Schottky MPS ™ (Fusionada-PiN-Schottky) diodos que ofrecen un rendimiento líder en la industria en todos los aspectos para cumplir con los objetivos de alta eficiencia y densidad de potencia en aplicaciones como fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones y cargadores de batería. La característica revolucionaria que hace que nuestra quinta generación (Serie GE ***) Los diodos SiC Schottky MPS ™ se destacan entre sus pares es el bajo voltaje incorporado (también conocido como voltaje de rodilla);Permite pérdidas por conducción de diodos más bajas en todas las condiciones de carga, lo que es crucial para aplicaciones que exigen un uso de energía de alta eficiencia.. A diferencia de otros diodos SiC de la competencia, también diseñados para ofrecer características de rodilla baja, una característica adicional de nuestros diseños de diodos Gen5 es que aún mantienen ese alto nivel de avalancha (UIL) la robustez que nuestros clientes esperan de Gen3 de GeneSiC (Serie GC ***) y Gen4 (Serie GD ***) SiC Schottky MPS ™” dijo el Dr.. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Voltaje incorporado bajo – Pérdidas de conducción más bajas para todas las condiciones de carga
  • Figura superior de mérito – QC x VF
  • Rendimiento de precio óptimo
  • Capacidad de sobrecorriente mejorada
  • 100% avalancha (UIL) Probado
  • Resistencia térmica baja para un funcionamiento más frío
  • Recuperación cero hacia adelante y hacia atrás
  • Conmutación rápida independiente de la temperatura
  • Coeficiente de temperatura positivo de VF

Aplicaciones –

  • Diodo de refuerzo en la corrección del factor de potencia (PFC)
  • Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones
  • Inversores solares
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Cargadores de bateria
  • Libre / Diodo antiparalelo en inversores

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ o contactar sales@genesicsemi.com

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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650 V con capacidad de alta corriente, 1200Diodos V y 1700V SiC Schottky MPS ™ en paquete de mini módulo SOT-227

DULLES, Virginia, Mayo 11, 2019 — GeneSiC se convierte en líder del mercado en capacidad de alta corriente (100 un y 200 UN) Diodos schottky SiC en minimódulo SOT-227

GeneSiC ha presentado GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 y GC2X100MPS06-227; los diodos schottky de SiC de 650 V y 1700 V con la corriente nominal más alta de la industria, agregando a la cartera existente de minimódulos de diodos schottky de 1200 V SiC: GB2X50MPS12-227 y GB2X100MPS12-227. Estos diodos de SiC reemplazan a los diodos de recuperación ultrarrápida basados ​​en silicio, permitiendo a los ingenieros construir circuitos de conmutación con mayor eficiencia y mayor densidad de potencia. Se espera que las aplicaciones incluyan cargadores rápidos para vehículos eléctricos., accionamientos de motor, fuentes de alimentación de transporte, rectificación de alta potencia y fuentes de alimentación industriales.

Además de la placa base aislada del paquete del minimódulo SOT-227, estos diodos recién lanzados cuentan con baja caída de voltaje directo, recuperación cero hacia adelante, recuperación inversa cero, capacitancia de unión baja y están clasificados para una temperatura máxima de funcionamiento de 175 ° C. La tecnología de diodos Schottky SiC de tercera generación de GeneSiC proporciona resistencia frente a avalanchas y picos de corriente líderes en la industria (Ifsm) robustez, combinado con fabricación de 6 pulgadas calificada para automóviles de alta calidad y tecnología avanzada de ensamblaje discreto de alta confiabilidad.

Estos diodos SiC son reemplazos directos compatibles con pines de otros diodos disponibles en el SOT-227 (mini-módulo) paquete. Beneficiándose de sus menores pérdidas de potencia (funcionamiento más fresco) y capacidad de conmutación de alta frecuencia, Los diseñadores ahora pueden lograr una mayor eficiencia de conversión y una mayor densidad de potencia en los diseños..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.