GeneSiC ha presentado GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 y GC2X100MPS06-227; los diodos schottky de SiC de 650 V y 1700 V con la corriente nominal más alta de la industria, agregando a la cartera existente de minimódulos de diodos schottky de 1200 V SiC: GB2X50MPS12-227 y GB2X100MPS12-227. Estos diodos de SiC reemplazan a los diodos de recuperación ultrarrápida basados en silicio, permitiendo a los ingenieros construir circuitos de conmutación con mayor eficiencia y mayor densidad de potencia. Se espera que las aplicaciones incluyan cargadores rápidos para vehículos eléctricos., accionamientos de motor, fuentes de alimentación de transporte, rectificación de alta potencia y fuentes de alimentación industriales.
Además de la placa base aislada del paquete del minimódulo SOT-227, estos diodos recién lanzados cuentan con baja caída de voltaje directo, recuperación cero hacia adelante, recuperación inversa cero, capacitancia de unión baja y están clasificados para una temperatura máxima de funcionamiento de 175 ° C. La tecnología de diodos Schottky SiC de tercera generación de GeneSiC proporciona resistencia frente a avalanchas y picos de corriente líderes en la industria (Ifsm) robustez, combinado con fabricación de 6 pulgadas calificada para automóviles de alta calidad y tecnología avanzada de ensamblaje discreto de alta confiabilidad.
Estos diodos SiC son reemplazos directos compatibles con pines de otros diodos disponibles en el SOT-227 (mini-módulo) paquete. Beneficiándose de sus menores pérdidas de potencia (funcionamiento más fresco) y capacidad de conmutación de alta frecuencia, Los diseñadores ahora pueden lograr una mayor eficiencia de conversión y una mayor densidad de potencia en los diseños..
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.
