Transistores de unión SiC de rápida maduración con ganancia de corriente (B) > 130, Voltajes de bloqueo hasta 2700 V y operación estable a largo plazo
Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C
Características estáticas y de conmutación de 1200 Transistores de unión V SiC con rectificadores Schottky integrados en chip
AN-10A Conducción de transistores de unión SiC (SJT) AN-10A Conducción de transistores de unión SiC: AN-10A Conducción de transistores de unión SiC
1200 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC “AN-10A Conducción de transistores de unión SiC” AN-10A Conducción de transistores de unión SiC 88 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC