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GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue Welle von Anwendungen

6.5kV-SiC-MOSFETs

DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen wie Traktion, gepulste Energie- und Smart-Grid-Infrastruktur.

GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, gibt heute die sofortige Verfügbarkeit von 6,5-kV-SiC-MOSFET-Bare-Chips bekannt - G2R300MT65-CAL und G2R325MS65-CAL. Vollständige SiC-Module, die diese Technologie nutzen, werden in Kürze veröffentlicht. Anwendungen werden voraussichtlich Traktion beinhalten, gepulste Leistung, Smart-Grid-Infrastruktur und andere Mittelspannungs-Stromrichter.

G2R300MT65-CAL - 6,5 kV 300 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5 kV 325 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET (mit Integrated-Schottky) Nackter Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5 kV 100 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

Die Innovation von GeneSiC umfasst einen doppelt implantierten SiC-Metalloxidhalbleiter (DMOSFET) Gerätestruktur mit einer Sperrschicht schottky (JBS) Gleichrichter in die SiC-DMOSFET-Einheitszelle integriert. Dieses hochmoderne Leistungsgerät kann in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsschaltungen in der nächsten Generation von Leistungsumwandlungssystemen verwendet werden. Weitere wichtige Vorteile sind eine effizientere bidirektionale Leistung, temperaturunabhängiges Schalten, geringe Schalt- und Leitungsverluste, reduzierter Kühlbedarf, Überlegene Langzeitzuverlässigkeit, Einfache Parallelisierung von Geräten und Kostenvorteile. Die Technologie von GeneSiC bietet überlegene Leistung und hat auch das Potenzial, den Netto-SiC-Material-Footprint in Stromrichtern zu reduzieren.

“Die 6,5-kV-SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden auf 6-Zoll-Wafern entwickelt und hergestellt, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen, höchste Qualität, und überlegener Preis-Leistungs-Index. Diese MOSFET-Technologie der nächsten Generation verspricht vorbildliche Leistung, Überlegene Robustheit und Langzeitzuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Stromumwandlungsanwendungen.” sagte DR. Siddarth Sundaresan, VP of Technology bei GeneSiC Semiconductor.

Die 6,5-kV-G2R ™ SiC-MOSFET-Technologie von GeneSiC bietet Funktionen –

  • Hohe Lawine (UIS) und Kurzschluss-Robustheit
  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
  • Temperaturunabhängige Schaltverluste
  • Niedrige Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
  • Geringe Verluste bei allen Temperaturen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C.
  • +20 V. / -5 V-Gate-Antrieb

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden

DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Gehäuse

GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und GB50MPS17-247; Die branchenweit leistungsstärksten 1700-V-SiC-Dioden, die im beliebten TO-247-2-Durchgangsbohrungspaket erhältlich sind. Diese 1700-V-SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis und andere 1700-V-SiC-JBS der alten Generation, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen und erneuerbare Energien.

GB50MPS17-247 ist eine 1700 V 50 A SiC-Merged-PiN-Schottky-Diode, die branchenweit höchste diskrete SiC-Leistungsdiode mit Nennstrom. Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Gießerei und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere Dioden, die im TO-247-2-Gehäuse enthalten sind. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.