DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen wie Traktion, gepulste Energie- und Smart-Grid-Infrastruktur.
GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, gibt heute die sofortige Verfügbarkeit von 6,5-kV-SiC-MOSFET-Bare-Chips bekannt - G2R300MT65-CAL und G2R325MS65-CAL. Vollständige SiC-Module, die diese Technologie nutzen, werden in Kürze veröffentlicht. Anwendungen werden voraussichtlich Traktion beinhalten, gepulste Leistung, Smart-Grid-Infrastruktur und andere Mittelspannungs-Stromrichter.
G2R300MT65-CAL - 6,5 kV 300 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip
G2R325MS65-CAL - 6,5 kV 325 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET (mit Integrated-Schottky) Nackter Chip
G2R100MT65-CAL - 6,5 kV 100 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip
Die Innovation von GeneSiC umfasst einen doppelt implantierten SiC-Metalloxidhalbleiter (DMOSFET) Gerätestruktur mit einer Sperrschicht schottky (JBS) Gleichrichter in die SiC-DMOSFET-Einheitszelle integriert. Dieses hochmoderne Leistungsgerät kann in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsschaltungen in der nächsten Generation von Leistungsumwandlungssystemen verwendet werden. Weitere wichtige Vorteile sind eine effizientere bidirektionale Leistung, temperaturunabhängiges Schalten, geringe Schalt- und Leitungsverluste, reduzierter Kühlbedarf, Überlegene Langzeitzuverlässigkeit, Einfache Parallelisierung von Geräten und Kostenvorteile. Die Technologie von GeneSiC bietet überlegene Leistung und hat auch das Potenzial, den Netto-SiC-Material-Footprint in Stromrichtern zu reduzieren.
“Die 6,5-kV-SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden auf 6-Zoll-Wafern entwickelt und hergestellt, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen, höchste Qualität, und überlegener Preis-Leistungs-Index. Diese MOSFET-Technologie der nächsten Generation verspricht vorbildliche Leistung, Überlegene Robustheit und Langzeitzuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Stromumwandlungsanwendungen.” sagte DR. Siddarth Sundaresan, VP of Technology bei GeneSiC Semiconductor.
Die 6,5-kV-G2R ™ SiC-MOSFET-Technologie von GeneSiC bietet Funktionen –
- Hohe Lawine (UIS) und Kurzschluss-Robustheit
- Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
- Temperaturunabhängige Schaltverluste
- Niedrige Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
- Geringe Verluste bei allen Temperaturen
- Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C.
- +20 V. / -5 V-Gate-Antrieb
Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip oder kontaktieren sales@genesicsemi.com
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.
