DULLES, werden, Dezember 4, 2020 — GeneSiC kündigt die Verfügbarkeit branchenführender diskreter 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs an, die für eine beispiellose Miniaturisierung optimiert sind, Zuverlässigkeit und Energieeinsparungen bei der industriellen Haushaltsleistung.
GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant eines umfassenden Portfolios von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit von SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ an - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, und G2R1000MT33J. Diese SiC-MOSFETs ermöglichen überlegene Leistungsniveaus, basierend auf Flaggschiff Figures of Merit (FoM) die Stromversorgungssysteme im gesamten Energiespeicher verbessern und vereinfachen, erneuerbare Energie, Industriemotoren, Allzweckwechselrichter und Industriebeleuchtung. Produkte freigegeben sind:
G2R1000MT33J - 3300 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET
G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET
G2R1000MT17J - 1700 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET
G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET
G3R450MT17J - 1700 V 450 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET
Die neuen 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs von GeneSiC, Erhältlich in den Optionen 1000 mΩ und 450 mΩ als diskrete SMD- und Through-Hole-Pakete, sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch eine schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.
„In Anwendungen wie 1500-V-Solarwechselrichtern, Der MOSFET in der Hilfsstromversorgung muss möglicherweise Spannungen im Bereich von 2500 V standhalten, abhängig von der Eingangsspannung, Windungsverhältnis des Transformators und der Ausgangsspannung. MOSFETs mit hoher Durchbruchspannung machen in Flyback die Notwendigkeit von in Reihe geschalteten Schaltern überflüssig, Boost- und Forward-Wandler reduzieren dadurch die Anzahl der Teile und die Schaltungskomplexität. Mit den diskreten SiC-MOSFETs 3300V und 1700V von GeneSiC können die Entwickler eine einfachere Topologie auf Einzelschalterbasis verwenden und gleichzeitig den Kunden zuverlässige Lösungen bieten, kompaktes und kostengünstiges System” sagte Sumit Jadav, Senior Applications Manager bei GeneSiC Semiconductor.
Eigenschaften –
- Überlegener Preis-Leistungs-Index
- Flaggschiff Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
- Niedrige Eigenkapazität und niedrige Gate-Ladung
- Geringe Verluste bei allen Temperaturen
- Hohe Lawinen- und Kurzschlussfestigkeit
- Benchmark-Schwellenspannung für einen normalerweise ausgeschalteten stabilen Betrieb bis 175 ° C.
Anwendungen –
- Erneuerbare Energie (Solarwechselrichter) und Energiespeicher
- Industriemotoren (und Bindung)
- Allzweckwechselrichter
- Industriebeleuchtung
- Piezo-Treiber
- Ionenstrahlgeneratoren
Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support
Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.
