Schnell reifende SiC-Übergangstransistoren mit Stromverstärkung (B) > 130, Sperrspannungen bis 2700 V und stabiler Langzeitbetrieb
Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Antriebskonzept
1200 V-Klasse 4H-SiC “Super” Sperrschichttransistoren mit Stromverstärkungen von 88 und ultraschnelle Schaltfähigkeit