Leistungselektronik-Technologie
Bodos Energiesysteme (Pg 44)
Februar, 2012 –
Siliziumkarbid-Thyristoren läuten die Smart-Grid-Revolution ein
Compound Semiconductor Magazine (Pg 33)
Marsch, 2012 –
SiC Electronics: Hochtemperaturversprechen nutzen
Bodo’s Power System veröffentlicht redaktionellen Artikel von GeneSiC (Pg 16)
Juni 19, 2013 –
Fahren und Verwenden von neuen SiC-Schaltern
Ansteuern von SiC-Schaltern – vom Compound Semiconductor Magazine (Pg 41)
Juli 29, 2013 –
SJTs bieten IGBT-Treiber-kompatiblen Betrieb
Power Electronics Europe Nachrichten
Halbleiter heute
Compound Semiconductor
IEEE PELS-Magazin
Beschädigen 1, 2015 –
Das Versprechen des Hochtemperaturbetriebs mit Siliziumkarbid-Geräten erfüllen