Juni 19, 2013 –
Fahren und Verwenden von neuen SiC-Schaltern
Compound Semiconductor
IEEE PELS-Magazin
Beschädigen 1, 2015 – IEEE PELS-Magazin
Das Versprechen des Hochtemperaturbetriebs mit Siliziumkarbid-Geräten erfüllen
Juni 19, 2013 –
Fahren und Verwenden von neuen SiC-Schaltern
Beschädigen 1, 2015 – IEEE PELS-Magazin
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