تكنولوجيا إلكترونيات القوى
شهر فبراير, 2012 – SiC: مركب أشباه موصلات قوي لا يستهان به
تكنولوجيا إلكترونيات القوى (ص 21)
شهر نوفمبر, 2011 – تقدم ترانزستورات تقاطع SiC “Super” اختراقًا عاليًا لدرجة الحرارة
أنظمة الطاقة في بودو (ص 36)
اكتوبر, 2011 – أداء كهربائي متميز بدرجة حرارة عالية من ترانزستورات تقاطع SiC "Super"
تكنولوجيا إلكترونيات القوى (ص 36)
تموز, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack يخفض خسائر التحويل
أنظمة الطاقة في بودو (ص 46)
مايو, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack لتطبيقات الطاقة الإلكترونية