ملاحظات طلب التقديم:
AN-1 1200 الثنائيات V Schottky ذات الحاجز الثابت لارتفاعات الحرارة وعوامل المثالية
أكتوبر 2010 AN-1 1200 الثنائيات V Schottky ذات الحاجز الثابت لارتفاعات الحرارة وعوامل المثالية
AN-2 1200 ثنائيات V SiC JBS مع شحن استرداد عكسي سعوي منخفض للغاية لتطبيقات التبديل السريع
أكتوبر 2010 AN-2 1200 ثنائيات V SiC JBS مع شحن استرداد عكسي سعوي منخفض للغاية لتطبيقات التبديل السريع
AN1001 SiC قوة ديود الموثوقية
سبتمبر, 2018AN1001 SiC قوة ديود الموثوقية
AN1002 فهم ورقة البيانات الخاصة بـ SiC Power Schottky Diode
سبتمبر, 2018AN1002 فهم ورقة البيانات الخاصة بـ SiC Power Schottky Diode
تعليمات استخدام نموذج AN1003 SPICE
ديسمبر, 2018تعليمات استخدام نموذج AN1003 SPICE
مقالات فنية:
مقومات SiC PiN عالية الطاقة
ديسمبر, 2005 مقومات SiC PiN عالية الطاقة
مقومات SiC PiN عالية الطاقة
يونيو, 2007 مقومات SiC PiN عالية الطاقة
الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون
يونيو, 2008 الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون
تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
أكتوبر, 2008 تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
سبتمبر, 2010 الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
