ملاحظات طلب التقديم:
Sorry, no posts were found.
مقالات فنية:
SiC "سوبر" تقاطع الترانزستورات فائقة السرعة (< 15 نانوثانية) تحويل القدرة
مايو, 2012 SiC "سوبر" تقاطع الترانزستورات فائقة السرعة (< 15 نانوثانية) تحويل القدرة
توصيف استقرار الكسب الحالي وتشغيل وضع الانهيار الجليدي لـ 4H-SiC BJTs
أكتوبر, 2012 توصيف استقرار الكسب الحالي وتشغيل وضع الانهيار الجليدي لـ 4H-SiC BJTs
10 kV SiC BJTs - ثابت, خصائص التبديل والموثوقية
مايو, 2013 10 kV SiC BJTs - ثابت, خصائص التبديل والموثوقية
ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل
أكتوبر, 2013 ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
أبريل, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation