الجهد العالي, صمامات SiC Schottky Diodes الخالية من الاستعادة العكسية لتمكين محولات الطاقة الشمسية وتجميعات الجهد العالي بشكل حاسم من خلال تقديم إمكانات تركيب سطح عامل الشكل الأصغر
دالاس, فرجينيا., نوفمبر 19, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة SMB المتوافقة مع معايير الصناعة (JEDEC DO-214AA) معبأة مقومات SiC في 650 - 3300 نطاق V.. دمج هذه الفولتية العالية, عكس الانتعاش خالية, ستعمل ثنائيات SiC ذات التردد العالي ودرجة الحرارة العالية على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم التجميعات متعددة كيلوفولت. تستهدف هذه المنتجات محولات الطاقة الشمسية الدقيقة بالإضافة إلى دوائر مضاعف الجهد المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.
قد تعاني محولات الطاقة الشمسية الدقيقة المعاصرة ودوائر مضاعف الجهد من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجام كبيرة بسبب تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في محولات الطاقة الشمسية الدقيقة وتجميعات الجهد العالي. GeneSiC's 650 الخامس / 1 أ; 1200 V / 2 A و 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 3300 توفر الأجهزة ذات التصنيف V جهدًا عاليًا نسبيًا في جهاز واحد مما يسمح بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. SMB (DO-214AA) تتميز العبوة المفرطة الشكل بعامل الشكل القياسي للصناعة للتجمعات المثبتة على السطح.
تأتي عروض المنتجات هذه من سنوات من جهود التطوير المستمرة في GeneSiC من أجل تقديم أجهزة وحزم مقنعة. نعتقد أن عامل الشكل SMB هو عامل تمييز رئيسي لسوق Micro Solar Inverter و Voltage Multiplier, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, تعمل مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة وحزم SMB المحسنة على تمكين هذا المنتج المذهل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
1200 V / 2 صمام ثنائي شوتكي SMB SiC SiC (GB02SLT12-214) النقاط البارزة الفنية
- VF النموذجي = 1.5 الخامس
- تيjmax = 175الج
- رسوم الاسترداد العكسي = 14 ان سي.
3300 V / 0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) النقاط البارزة الفنية
- VF النموذجي = 1.7 الخامس
- تيjmax = 175الج
- رسوم الاسترداد العكسي = 52 ان سي.
650 V / 1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) النقاط البارزة الفنية
- VF النموذجي = 1.5 الخامس
- تيjmax = 175الج
- رسوم الاسترداد العكسي = 7 ان سي.
جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, متوافق مع RoHS SMB (DO-214AA) الحزم. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php / كذا المنتجات / شوتكي
