لوحة تبديل النبض المزدوج
سبتمبر 2014 لوحة تبديل النبض المزدوج
1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة
سبتمبر, 2011 1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة
200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
نوفمبر, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
فبراير, 2012 استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج
أبريل, 2012 كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج