How2Power
نوفمبر 14, 2014 – 1200-يتم وضع ترانزستورات تقاطع V و 1700-V SiC لتحدي MOSFETs SiC و السيليكون IGBT
جهاز الكتروني
نوفمبر 25, 2014 – يتم تقديم دعم تصميم المصفحات الإلكترونية للمفاتيح ذات أقل خسارة في الصناعة
مجلة IEEE PELS
مارس 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
مجمع سيمي اون لاين
مايو 14, 2015 – يبدأ GeneSiC في تقديم ثنائيات ترانزستور تقاطع SiC
عين السوق TTI
أبريل 22, 2015 – عروض تقديمية من GaN و SiC Power Device في APEC
