تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
أكتوبر, 2008 تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
سبتمبر, 2010 الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
سبتمبر, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
سبتمبر, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
تموز, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance