شركة GeneSiC الرائدة في صناعة MOSFETs 6.5 كيلو فولت – طليعة موجة جديدة من التطبيقات
دول, فيرجينيا, اكتوبر 20, 2020 — تطلق GeneSiC وحدات MOSFET من كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت لتتصدر الصدارة في تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, الكفاءة والموثوقية في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط…
GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لمحول مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC
دول, فيرجينيا, ديسمبر 5, 2019 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2019 ص&د 100 جائزة تطوير القائم على SiC…
650 فولت عالي القدرة, 1200الثنائيات V و 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة SOT-227 ذات الوحدة الصغيرة
دول, فيرجينيا, مايو 11, 2019 — أصبحت GeneSiC شركة رائدة في السوق من حيث القدرة على التيار العالي (100 أ و 200 أ) ثنائيات SiC شوتكي في وحدة صغيرة SOT-227 GeneSiC أدخلت GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
تطلق GeneSiC أفضل أداء في الصناعة 1700V SiC Schottky MPS™ الثنائيات
دول, فيرجينيا, كانون الثاني 7, 2019 — تطلق GeneSiC مجموعة شاملة من الجيل الثالث من ثنائيات 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة TO-247-2 قامت GeneSiC بتقديم GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 و…
Hybrid SiC Schottky Rectifier / Si IGBT Modules من GeneSiC تتيح تشغيل 175 درجة مئوية
دول, فيرجينيا, مارس 5, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافرها على الفور…
