دول, فيرجينيا, مارس 5, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافر الجيل الثاني من الوحدات المصغرة الهجينة باستخدام 1200 V / 100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with Silicon IGBTs - GB100XCP12-227. تسمح نقطة سعر الأداء التي يتم عندها إصدار هذا المنتج للعديد من تطبيقات تحويل الطاقة بالاستفادة من تقليل التكلفة / الحجم / الوزن / الحجم الذي لا يوفره حل Silicon IGBT / Silicon Rectifier, ولا يمكن أن تقدمه وحدة SiC نقية. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك المحركات الصناعية, محولات الطاقة الشمسية, المعدات المتخصصة وتطبيقات شبكة الطاقة.
وحدات صغيرة SiC Schottky / Si IGBT (الحزم المشتركة) التي تقدمها GeneSiC مصنوعة من Si IGBTs التي تعرض معامل درجة حرارة إيجابيًا للانخفاض في الحالة, تصميم قوي لكمة, عملية ذات درجة حرارة عالية وخصائص تحويل سريعة يمكن أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT. تسمح مقومات SiC المستخدمة في وحدات الحزم المشتركة هذه بحزم تحريض منخفضة للغاية, انخفاض الجهد المنخفض على الدولة وعدم الانتعاش العكسي. توفر حزمة SOT-227 لوحة أساسية معزولة, 12ملم تصميم جانبي منخفض يمكن استخدامه بمرونة كبيرة كعنصر دائرة مستقل, التكوين المتوازي الحالي العالي, أ الساق المرحلة (وحدتين), أو كعنصر دائرة مروحية.
“لقد استمعنا إلى عملائنا الرئيسيين منذ العرض الأولي لهذا المنتج تقريبًا 2 منذ سنوات. هذا الجيل الثاني 1200 V / 100 منتج حزمة مشتركة لديه تصميم منخفض الحث ومناسب للتردد العالي, تطبيقات درجات الحرارة العالية. يحد ضعف درجة الحرارة المرتفعة وخصائص الاسترداد العكسي لثنائيات السيليكون بشكل كبير من استخدام IGBT في درجات حرارة أعلى. التردد المنخفض من GeneSiC, تعمل ثنائيات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة على تمكين هذا المنتج المذهل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
1200 الملامح الفنية لمعدل V / 100 A Si IGBT / SiC
- إسقاط على الدولة من 1.9 V في 100 أ
- معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
- Tjmax = 175 درجة مئوية
- فقدان الطاقة أثناء التشغيل 23 ميكرو جول (نموذجي).
جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم SOT-227 المتوافقة مع معايير RoHS الصناعية. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
