طاقة أشباه الموصلات, رائد الصناعة في الدوائر المتكاملة للطاقة نيتريد الغاليوم, تعلن عن الاستحواذ على GeneSiC أشباه الموصلات, رواد كربيد السيليكون
الثاني, كاليفورنيا., 15 أغسطس, 2022 - الطاقة أشباه الموصلات (ناسداك: NVTS), الشركة الرائدة في صناعة نيتريد الغاليوم (الجاليوم) طاقة المرحلية, أعلن اليوم عن الاستحواذ على GeneSiC Semiconductor, كربيد السيليكون (SiC) رائد…
تقدم وحدات الترانزستورات MOSFET G3R ™ 750V أداءً وموثوقية لا مثيل لهما
دول, فيرجينيا, يونيو 04, 2021 — الجيل القادم من GeneSiC 750V G3R ™ SiC MOSFETs سوف يقدم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام قطرات منخفضة على الحالة…
5الثنائيات من الجيل السادس 650 فولت SiC Schottky MPS ™ لأفضل كفاءة في فئتها
دول, فيرجينيا, مايو 28, 2021 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لكربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه موصلات الطاقة, تعلن عن توافر الجيل الخامس (سلسلة GE ***) SiC شوتكي…
الجيل الثالث الجديد من دوائر SiC MOSFET من GeneSiC تتميز بأفضل شخصية في الصناعة
دول, فيرجينيا, شهر فبراير 12, 2020 — الجيل القادم من GeneSiC لأشباه الموصلات 1200V G3R ™ SiC MOSFETs مع RDS(على) مستويات تتراوح من 20 متر مكعب إلى 350 مΩ تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, المتانة والجودة…
تعمل وحدات GeneSiC's 3300V و 1700V 1000mΩ SiC MOSFET على إحداث ثورة في تصغير إمدادات الطاقة الإضافية
دول, فيرجينيا, ديسمبر 4, 2020 — تعلن شركة GeneSiC عن توفر وحدات MOSFET منفصلة بقدرة 3300 فولت و 1700 فولت من SiC والتي تم تحسينها لتحقيق تصغير لا مثيل له, الموثوقية وتوفير الطاقة في الصناعة…